南亚科技股份有限公司陈至仁获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利反熔丝电路以感测反熔丝获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116259349B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210071302.2，技术领域涉及：G11C29/00；该发明授权反熔丝电路以感测反熔丝是由陈至仁设计研发完成，并于2022-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本反熔丝电路以感测反熔丝在说明书摘要公布了：一种反熔丝电路包含电流产生器以及反熔丝感测单元。电流产生器具有至少一复制电子元件。反熔丝感测单元电性连接电流产生器，反熔丝感测单元具有至少一电子元件。反熔丝感测单元的至少一电子元件的电子元件规格相同于电流产生器的至少一复制电子元件的电子元件规格。电流产生器供应电流给反熔丝感测单元以感测反熔丝。借由本发明的技术方案，反熔丝电路可以提高感测反熔丝的准确度。
本发明授权反熔丝电路以感测反熔丝在权利要求书中公布了：1.一种反熔丝电路，其特征在于，包含： 电流产生器，具有至少一复制电子元件；以及 反熔丝感测单元，电性连接该电流产生器，该反熔丝感测单元具有至少一电子元件， 其中该反熔丝感测单元包含反相器，该反相器包含第一P型金属氧化半导体PMOS晶体管以及第一N型金属氧化半导体NMOS晶体管，该电流产生器包含分压器，该分压器包含串联的第一复制P型金属氧化半导体晶体管、第一电阻器、第二电阻器以及第一复制N型金属氧化半导体晶体管，该反熔丝感测单元的该至少一电子元件包含该反相器的该第一P型金属氧化半导体晶体管以及该第一N型金属氧化半导体晶体管，该电流产生器的该至少一复制电子元件包含该分压器的该第一复制P型金属氧化半导体晶体管以及该第一复制N型金属氧化半导体晶体管，该第一复制P型金属氧化半导体晶体管的电子元件规格相同于该第一P型金属氧化半导体晶体管的电子元件规格，该第一复制N型金属氧化半导体晶体管的电子元件规格相同于该第一N型金属氧化半导体晶体管的电子元件规格，该电流产生器供应电流给该反熔丝感测单元以感测反熔丝。
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