株式会社国际电气中谷公彦获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社国际电气申请的专利衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116246942B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211515898.7，技术领域涉及：H10P14/60；该发明授权衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质是由中谷公彦;山本隆治设计研发完成，并于2022-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质在说明书摘要公布了：本发明涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。本发明提供能够在所期望的表面上以高精度选择性地形成膜的技术。其具有：A通过向具有第一表面和第二表面的衬底供给改性剂，从而在前述第一表面形成抑制剂层的工序；和B通过向在前述第一表面形成前述抑制剂层后的前述衬底供给成膜剂，从而在前述第二表面上形成膜的工序。以使得在将构成前述抑制剂层的抑制剂分子的宽度设为WI、将前述第一表面的吸附位点的间隔设为DA、将构成前述成膜剂中所含的特定物质的分子X的宽度设为WP的情况下，WI小于DA时满足WP＞DA‑WI，WI大于DA时满足WP＞DAx‑WIx为满足WI＜DAx的最小的整数。
本发明授权衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质在权利要求书中公布了：1.衬底处理方法，其具有： A通过向具有第一表面和第二表面的衬底供给改性剂，从而在所述第一表面形成抑制剂层的工序；和 B通过向在所述第一表面形成所述抑制剂层后的所述衬底供给成膜剂，从而在所述第二表面上形成膜的工序， 以使得在将构成所述抑制剂层的抑制剂分子的宽度设为WI、将所述第一表面的吸附位点的间隔设为DA、将构成所述成膜剂中所含的特定物质的分子X的宽度设为WP的情况下， WI小于DA时满足WP＞DA-WI， WI大于DA时满足WP＞DAx-WI，其中，x为满足WI＜DAx的最小的整数，所述特定物质为原料及反应体中的至少任一者， 所述衬底处理方法在进行A之前还具有：C利用热处理、蚀刻处理、还原处理、氧化处理、等离子体处理、及含氧及氢的物质向所述衬底的暴露中的至少任一者来对DA进行调节的工序。
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