华中科技大学梁琳获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种N型碳化硅基反向阻断双端固态闸流管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116169183B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310002485.7，技术领域涉及：H10D18/00；该发明授权一种N型碳化硅基反向阻断双端固态闸流管及其制备方法是由梁琳;卿正恒设计研发完成，并于2023-01-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种N型碳化硅基反向阻断双端固态闸流管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种N型碳化硅基反向阻断双端固态闸流管及其制备方法，N型碳化硅基反向阻断双端固态闸流管包括：N+碳化硅衬底，以及依次在N+碳化硅衬底上外延生长的碳化硅P+阳极发射区、碳化硅N‑漂移区以及由碳化硅P基区和碳化硅N+区构成的阴极发射区。阴极发射区的结构通过如下方式形成：在碳化硅N+区形成P+注入窗口，再进行P型离子注入使得所述P+注入窗口内形成碳化硅阴极P+区。本发明通过对N基区尺寸和掺杂浓度的规格做出限定，通过较多测试验证，一方面能够较容易的实现高阻断电压，从而有效避免串联引起的可靠性问题，另一方面有利于减小器件的厚度，从而改善器件的通态特性。
本发明授权一种N型碳化硅基反向阻断双端固态闸流管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种N型碳化硅基反向阻断双端固态闸流管，其特征在于，所述N型碳化硅基反向阻断双端固态闸流管依次包括：碳化硅阳极P+发射区、碳化硅N-漂移区、碳化硅P基区以及阴极发射区； 所述阴极发射区的结构通过如下方式形成： 在所述碳化硅P基区外延生长N+区，并在N+区形成P+注入窗口，再进行P型离子注入使得所述P+注入窗口内形成碳化硅阴极P+发射区。
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