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龙图腾网获悉江苏天芯微半导体设备有限公司申请的专利一种用于半导体设备的测温装置的温度校准方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116165503B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310119479.X，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种用于半导体设备的测温装置的温度校准方法是由叶斌设计研发完成，并于2023-02-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于半导体设备的测温装置的温度校准方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种用于半导体设备的测温装置的温度校准方法，包含以下步骤：S1、提供半导体设备；S2、获得外延层生长速率与温度的对应关系；S3、初步功率校准；S4、在第一工艺温度T1下进行外延层生长，获得第一生长速率K1，并根据步骤S2中所述对应关系获得该第一生长速率K1对应的第一实际温度t1，获得第一实际温度t1与第一工艺温度T1的温度差ΔT1；S5、在第一工艺温度附近取第n工艺温度Tn，获得第n实际温度tn与第n工艺温度Tn的温度差ΔTn；S6、重复执行步骤S5，获得温度差的平均值以校准第一测温仪的各个工艺温度TN；S7、重复执行步骤S4‑S6，当ΔT小于设定阈值时停止。本发明具有校准精准度高、可操作性强等优势。

本发明授权一种用于半导体设备的测温装置的温度校准方法在权利要求书中公布了：1.一种用于半导体设备的测温装置的温度校准方法，其特征在于，包含以下步骤： S1、提供半导体设备，所述半导体设备包括：腔体，所述腔体包括用于承载衬底的基座；上、下加热装置，用于向腔体提供热辐射，通过调节上、下加热装置的功率调节腔体内的温度；以及，测温装置，所述测温装置包括设置于腔体上方的第一测温仪和设置于腔体下方的第二测温仪； S2、获得外延层生长速率与温度的对应关系，其中，所述温度为500℃-850℃的线性温度范围，且在所述线性温度范围内，外延层生长速率的自然对数和对应温度的倒数呈线性关系； S3、初步功率校准，通过设定功率对应的测量温度校准更换后的第一测温仪； S4、在第一工艺温度T1下进行外延层生长，获得第一生长速率K1，并根据步骤S2中所述对应关系获得该第一生长速率K1对应的第一实际温度t1，获得第一实际温度t1与第一工艺温度T1的温度差ΔT1； S5、在第一工艺温度附近取第n工艺温度Tn，在第n工艺温度Tn下进行外延层生长，获得第n生长速率Kn，并根据步骤S2中所述对应关系获得该第n生长速率Kn对应的第n实际温度tn，获得第n实际温度tn与第n工艺温度Tn的温度差ΔTn，其中n=2、3、4……N，N≥2，且为整数； S6、重复执行步骤S5，获得温度差ΔT1、ΔT2、……、ΔTN的平均值；以校准更换后的第一测温仪的第一工艺温度T1、第二工艺温度T2、……、第N工艺温度TN； S7、重复执行步骤S4-S6，当小于设定阈值时停止。

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