中国科学院微电子研究所尤祥安获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种高电流密度垂直供配电模组及其封装工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116156752B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211240175.0，技术领域涉及：H05K1/185；该发明授权一种高电流密度垂直供配电模组及其封装工艺是由尤祥安;侯峰泽;王启东;丁飞;方志丹;陈钏设计研发完成，并于2022-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高电流密度垂直供配电模组及其封装工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高电流密度垂直供配电模组及其封装工艺，属于微电子封装技术领域，解决了现有技术中供配电模组体积尺寸大、电流密度低、埋入式芯片封装热阻高、散热困难、结温过高的问题。该模组中，底部电极、封装基板、功率器件和顶部电极层叠；集成电路芯片和无源器件埋置于封装基板内部且在垂直方向上叠层。该封装工艺包括将集成电路芯片埋置于第一芯板中，将无源器件埋置于第二芯板中，压合构成封装基板；对封装基板进行钻孔、孔壁金属化和塞孔得到待封装整体；对待封装整体进行灌封、研磨和表面金属化。该模组和封装工艺能够有效提高电流密度。
本发明授权一种高电流密度垂直供配电模组及其封装工艺在权利要求书中公布了：1.一种高电流密度垂直供配电模组，其特征在于，包括封装基板、功率器件、侧面电极、底部电极、顶部电极、集成电路芯片和无源器件； 所述底部电极、封装基板、功率器件和顶部电极依次自下而上层叠； 所述侧面电极位于封装基板的侧面，所述顶部电极通过侧面电极与封装基板连接； 所述集成电路芯片和无源器件埋置于封装基板内部，且两者在垂直方向上叠层布置； 所述高电流密度垂直供配电模组还包括电感器，所述电感器位于顶部电极与功率器件之间； 所述电感器在封装基板表面的投影面积不超过封装基板表面的面积，所述电感器底部距封装基板表面的高度大于或等于功率器件的贴装高度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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