长鑫存储技术有限公司王沛萌获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116133361B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110890567.0，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其形成方法是由王沛萌;卢经文;郗宁设计研发完成，并于2021-08-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：形成电容基板，所述电容基板包括多个电容转接结构以及位于相邻所述电容转接结构之间的间隙；形成至少覆盖所述电容转接结构顶面的保护层；形成填充满所述间隙并覆盖所述保护层表面的隔离层；去除覆盖于所述保护层顶面的所述隔离层，暴露所述保护层；去除所述保护层，暴露所述电容转接结构。本发明避免了相邻所述电容转接结构之间的短路问题，提高了半导体结构的良率，改善了半导体结构的电性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤： 形成电容基板，所述电容基板包括多个电容转接结构以及位于相邻所述电容转接结构之间的间隙； 形成至少覆盖所述电容转接结构顶面的保护层； 形成填充满所述间隙并覆盖所述保护层表面的隔离层； 去除覆盖于所述保护层顶面的所述隔离层，暴露所述保护层； 去除所述保护层，暴露所述电容转接结构; 形成至少覆盖所述电容转接结构顶面的保护层的具体步骤包括： 钝化处理所述电容转接结构的表面，形成覆盖所述电容转接结构表面的所述保护层; 钝化处理所述电容转接结构的表面的具体步骤包括： 氮化处理所述电容转接结构的表面; 所述电容转接结构的材料为金属材料；氮化处理所述电容转接结构的表面的具体步骤包括： 采用氮源气体处理所述电容转接结构表面，形成作为所述保护层的金属氮化物，所述氮源气体包括H2、O2和NH3。
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