江苏芯德半导体科技有限公司钱丹雁获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏芯德半导体科技有限公司申请的专利大颗镂空框架的封装结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116130430B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310093648.7，技术领域涉及：H10W70/40；该发明授权大颗镂空框架的封装结构及其制备方法是由钱丹雁;王强设计研发完成，并于2023-01-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本大颗镂空框架的封装结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种大颗镂空框架的封装结构，包括：框架本体、基岛、散热片、管脚和塑封层，框架本体的正面设有基岛，基岛的顶部连接芯片，基岛的底部设置散热片，芯片通过焊线连接管脚，框架本体镂空部分设有支撑连筋，支撑连筋呈网状分布，塑封层设置在框架本体的顶部且包覆基岛、芯片、焊线和支撑连筋，本发明提供了一种增加框架强度、减少注塑过程中模流冲压产生的冲击力、改善切割道弧度、减小切割道线弧冲弯风险、塑封后框架韧性会有提升、减小框架形变风险的大颗镂空框架的封装结构及其制备方法。
本发明授权大颗镂空框架的封装结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.大颗镂空框架的封装结构，其特征在于，包括:框架本体、基岛、散热片、管脚和塑封层，所述框架本体的正面设有基岛，所述基岛的顶部连接芯片，所述基岛的底部设置散热片，所述芯片通过焊线连接管脚，所述框架本体镂空部分设有支撑连筋，所述支撑连筋呈网状分布，所述塑封层设置在框架本体的顶部且包覆基岛、芯片、焊线和支撑连筋；所述支撑连筋连接基岛和框架本体边缘且与相邻的其他框架本体相连接；所述支撑连筋顶部与基岛表面平齐，所述支撑连筋厚度为框架本体厚度的一半；所述支撑连筋的宽度≥0.15mm，所述支撑连筋之间的间隙≥0.15mm。
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