冯·阿登纳资产股份有限公司K·施耐德获国家专利权
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龙图腾网获悉冯·阿登纳资产股份有限公司申请的专利磁体系统和溅射设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116130327B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211307731.1，技术领域涉及：H01J37/34；该发明授权磁体系统和溅射设备是由K·施耐德;G·格罗斯;T·桑德;R·豪斯瓦尔德设计研发完成，并于2022-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁体系统和溅射设备在说明书摘要公布了：提供了一种磁体系统和溅射设备。根据各种实施方式，用于溅射设备300的磁体系统100可以包括：支承框架414；磁体载体102，其具有第一安装区域1002a和第二安装区域1002b；第一支撑设备404，该第一支撑设备借助于第一安装区域1002a安装在磁体载体102处；第二支撑设备404，该第二支撑设备借助于第二安装区域1002b安装在磁体载体102处，其中第一安装区域1002a和或第二安装区域1002b设计成，使得可以改变第一支撑设备404和第二支撑设备404相对于彼此安装在磁体载体102处的方位；其中第一支撑设备404和第二支撑设备404设计用于：与支承框架414彼此接合，以形成用于支承磁体载体102的支承设备。
本发明授权磁体系统和溅射设备在权利要求书中公布了：1.一种用于溅射设备300的磁体系统100，所述磁体系统100包括： ·支承框架414； ·磁体载体102，所述磁体载体具有第一安装区域1002a和第二安装区域1002b； ·第一支撑设备，所述第一支撑设备借助于所述第一安装区域1002a安装在所述磁体载体102处； ·第二支撑设备，所述第二支撑设备借助于所述第二安装区域1002b安装在所述磁体载体102处， ·其中所述第一安装区域1002a和或所述第二安装区域1002b被设置成使得所述第一支撑设备和所述第二支撑设备相对于彼此安装在所述磁体载体102处的方位能够改变； ·其中所述第一支撑设备和所述第二支撑设备与所述支承框架414拼接在一起，以形成用于支承所述磁体载体102的支承设备； 其中所述支承框架414具有比所述磁体载体102更大的抗弯刚度。
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