长鑫存储技术有限公司虞静获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种光罩及其制作方法以及曝光方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116125744B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111350363.4，技术领域涉及：G03F1/84；该发明授权一种光罩及其制作方法以及曝光方法是由虞静设计研发完成，并于2021-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光罩及其制作方法以及曝光方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体加工领域，公开一种光罩及其制作方法以及曝光方法。一种光罩，包括：第一图形区域以及围绕第一图形区域的第一切割道区域，第一切割道区域内具有第一测试元素组标记，且沿第一切割道区域的宽度方向，第一测试元素组标记的侧边与第一切割道区域中邻近第一测试元素组标记的边缘之间具有第一间隙。光罩中第一测试元素组标记的侧边与第一切割道区域中邻近第一测试元素组标记的边缘之间具有第一间隙，即第一测试元素组标记与第一图形区域之间具有第一间隙，在光罩的制作过程中，第二次扫描时光刻胶会将金属隔开，从而使得位于第一间隙内的金属被去除，光罩上不会有多余的金属残留，从而避免残留金属对晶圆芯片图形区域的影响。
本发明授权一种光罩及其制作方法以及曝光方法在权利要求书中公布了：1.一种光罩，其特征在于，包括：第一图形区域以及围绕所述第一图形区域的第一切割道区域，所述第一切割道区域内具有第一测试元素组标记，且沿所述第一切割道区域的宽度方向，所述第一测试元素组标记的侧边与所述第一切割道区域中邻近所述第一测试元素组标记的边缘之间具有第一间隙； 所述第一间隙a满足：a≥0.5μm，且所述第一测试元素组标记的宽度d1与所述第一切割道区域的宽度D1之间满足如下关系： 其中，λ1的范围为80%-85%。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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