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龙图腾网获悉武汉颐光科技有限公司申请的专利一种偏振反射率测量方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116124742B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211702725.6，技术领域涉及：G01N21/55；该发明授权一种偏振反射率测量方法及装置是由石雅婷;郭春付;刘亚鼎;李伟奇;何勇;薛小汝;张传维设计研发完成，并于2022-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种偏振反射率测量方法及装置在说明书摘要公布了：本发明涉及一种偏振反射率测量方法及装置，包括利用椭偏仪针对一参考样件进行测量，采集光强信号，并进行椭偏仪系统校准，得到校准后的系统参数与参考样件膜厚；利用校准后的系统参数和所述光强信号，计算得到参考样件的测量穆勒矩阵；利用校准后的系统参数和参考样件膜厚，仿真得到参考样件的反射率；根据参考样件的测量穆勒矩阵和参考样件的反射率，计算得到等效光源光强；针对任意待测样件，利用椭偏仪采集光强信号，并利用校准后的系统参数计算得到待测样件的测量穆勒矩阵；利用等效光源光强和待测样件的测量穆勒矩阵，计算得到待测样件偏振反射率。

本发明授权一种偏振反射率测量方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种偏振反射率测量方法，其特征在于，包括以下步骤： S101，利用椭偏仪针对一参考样件进行测量，采集光强信号，并进行椭偏仪系统校准，得到校准后的系统参数与参考样件膜厚； S102，利用校准后的系统参数和所述光强信号，计算得到参考样件的测量穆勒矩阵； S103，利用校准后的系统参数和参考样件膜厚，仿真得到参考样件的反射率； S104，根据参考样件的测量穆勒矩阵和参考样件的反射率，计算得到等效光源光强； S105，针对任意待测样件，利用椭偏仪采集光强信号，并利用校准后的系统参数计算得到待测样件的测量穆勒矩阵； S106，利用等效光源光强和待测样件的测量穆勒矩阵，计算得到待测样件偏振反射率； 所述的根据参考样件的测量穆勒矩阵和参考样件的反射率，计算得到等效光源光强，包括： 所述等效光源光强满足下式： ； 其中，为参考样件测量穆勒矩阵，为参考样件反射率，为将参考样件测量穆勒矩阵关于第一个元素归一化得到的归一化测量穆勒矩阵； 步骤S106包括： 基于待测样件测量穆勒矩阵和等效光源光强，利用公式：，计算得到待测样件非归一化测量穆勒矩阵：； 利用计算待测样件的s偏振反射率和p偏振反射率： 其中，表示矩阵第i行第j列的元素。

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