北京大学姜建峰获国家专利权
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龙图腾网获悉北京大学申请的专利具有自对准的源漏掺杂的二维多桥沟道晶体管及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116110948B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310097037.X，技术领域涉及：H10D62/17；该发明授权具有自对准的源漏掺杂的二维多桥沟道晶体管及制备方法是由姜建峰;邱晨光;彭练矛设计研发完成，并于2023-02-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有自对准的源漏掺杂的二维多桥沟道晶体管及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种具有自对准的源漏掺杂的二维多桥沟道晶体管及其制备方法，所述二维多桥沟道晶体管包括基底和设置在所述基底上的多个沟道结构，所述多个沟道结构中的每一个沟道结构包括设置在所述基底上栅金属层，环绕所述第一栅金属层而设置的第一高k栅介质层，环绕所述第一高k栅介质层的侧面而设置的低k栅介质层，设置在所述高k栅介质层和所述低k栅介质层上的二维半导体材料层，其中部分所述二维半导体材料被固态源掺杂源诱导相变成二维半金属金属材料层。根据本发明的二维多桥沟道晶体管及其制备方法，降低了源漏接触电阻，实现了兼容于二维半导体集成电路的低k侧墙工艺，降低了寄生，提高了晶体管的速度。
本发明授权具有自对准的源漏掺杂的二维多桥沟道晶体管及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有自对准的源漏掺杂的二维多桥沟道晶体管，其特征在于，包括基底和设置在所述基底上的多个沟道结构，所述多个沟道结构中的每一个沟道结构包括： 第一栅金属层，设置在所述基底上； 第一高k栅介质层，环绕所述第一栅金属层而设置； 低k栅介质层，环绕所述第一高k栅介质层的侧面而设置； 二维半导体材料层，设在所述第一高k栅介质层和所述低k栅介质层上，其中，利用包括超低功率软等离子体轰击所述二维半导体材料层的表面改性处理产生原子注入的活性点，再通过退火处理，使得活性金属原子注入和替位性掺杂到二维半导体材料层中，使得部分所述二维半导体材料被固态源掺杂源诱导相变成二维半金属金属材料层。
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