福建省晋华集成电路有限公司陈敏腾获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116110891B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310078219.2，技术领域涉及：H10W70/652；该发明授权半导体器件及其形成方法是由陈敏腾设计研发完成，并于2023-01-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请公开一种半导体器件及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底，在所述衬底内形成绝缘层与被所述绝缘层所分离的第一导电接触垫；在所述衬底上形成多个凸柱；在相邻的两个所述凸柱之间形成半导体结构，所述半导体结构与所述第一导电接触垫接触，所述半导体结构包括覆盖所述第一导电接触垫上表面及各个所述凸柱侧壁的第一U型导电层、位于所述第一U型导电层内部的第二U型导电层、设于所述第二U型导电层内的第一介质层、以及位于所述第一介质层上方的第二导电接触垫。本申请能够抑制半导体器件中的漏电问题，提升半导体性能。
本发明授权半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，所述形成方法包括： 提供衬底，在所述衬底内形成绝缘层与被所述绝缘层所分离的第一导电接触垫； 在所述衬底上形成多个凸柱； 在相邻的两个所述凸柱之间形成半导体结构，所述半导体结构与所述第一导电接触垫接触，所述半导体结构包括覆盖所述第一导电接触垫上表面及各个所述凸柱侧壁的第一U型导电层、位于所述第一U型导电层内部的第二U型导电层、设于所述第二U型导电层内的第一介质层、以及位于所述第一介质层上方的第二导电接触垫；所述第一U型导电层的底面与第一导电接触垫直接接触，第一U型导电层的侧壁与第二导电接触垫直接接触；所述第二U型导电层的导电能力低于所述第一U型导电层的导电能力。
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