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龙图腾网获悉泰州中来光电科技有限公司申请的专利一种晶体硅表面复合的测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115985802B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310111475.7，技术领域涉及：H10P74/20；该发明授权一种晶体硅表面复合的测试方法是由包杰;黄策;张耕;季根华;沈承焕;杜哲仁设计研发完成，并于2023-02-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种晶体硅表面复合的测试方法在说明书摘要公布了：本发明涉及太阳电池技术领域，公开了一种晶体硅表面复合的测试方法，包括：制备包含校准区和测试区的硅片样品；测试得到校准区在不同光强下的过剩载流子浓度值Δn；测试得到整片硅片样品在不同光强下的空间分辨光致发光PL亮度值；根据校准区的平均Δn和平均PL亮度值，得到校准常数C；根据C和空间分辨PL亮度值，得到整片硅片样品在不同光强下的空间分辨Δn；根据C和空间分辨Δn，得到整片硅片样品在不同光强下的空间分辨少子寿命τeff；根据空间分辨τeff和空间分辨Δn，得到整片硅片样品在不同注入浓度下的空间分辨表面复合值J0。该方法兼具高空间分辨率和准确性，能准确获得不同注入浓度下的单独的表面复合值，耗时短。

本发明授权一种晶体硅表面复合的测试方法在权利要求书中公布了：1.一种晶体硅表面复合的测试方法，其特征在于，包括以下测试步骤： 步骤S1：采用单晶硅衬底制备硅片样品，硅片样品包含校准区和测试区；校准区为尺寸不低于4cm*4cm的方形区域，测试区是边长为微米级尺寸的方形区域，测试区与校准区的钝化性能不同，且校准区中各位置的钝化性能较均匀，使校准区中各位置的表面复合值的差异不超过10%； 步骤S2：测试校准区，得到校准区在不同光强下的过剩载流子浓度值Δn； 步骤S3：测试整片硅片样品，得到整片硅片样品在不同光强下的空间分辨光致发光PL亮度值； 步骤S4：根据校准区的平均过剩载流子浓度值Δn和平均空间分辨光致发光PL亮度值，得到校准常数C； 步骤S5：根据校准常数C和空间分辨光致发光PL亮度值，得到整片硅片样品在不同光强下的空间分辨过剩载流子浓度值Δn； 步骤S6：根据校准常数C和空间分辨过剩载流子浓度值Δn，得到整片硅片样品在不同光强下的空间分辨少子寿命τeff； 步骤S7：根据空间分辨少子寿命τeff和空间分辨过剩载流子浓度值Δn，得到整片硅片样品在不同注入浓度下的空间分辨表面复合值J0； 所述步骤S7中，根据空间分辨少子寿命τeff和空间分辨过剩载流子浓度值Δn，通过如下公式，得到整片硅片样品在不同注入浓度下的空间分辨表面复合值J0： 式中，J0为硅片样品在不同注入浓度下的空间分辨表面复合值，Δn为硅片样品在不同光强下的空间分辨过剩载流子浓度值；q为硅片样品的单元电荷量，大小为1.6×10-19C；W为单晶硅衬底的厚度；ni为硅片样品的本征载流子浓度，大小为8.6×109cm-3； 其中， 式中，τcor为修正的少子寿命，τeff为硅片样品的少子寿命，τAuger为硅片样品的俄歇复合的寿命，τbulk,SRH为硅片样品的体区SRH复合的寿命，当注入浓度为定值时，1τbulk,SRH为常数；Ndoped为单晶硅衬底的掺杂浓度。

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