西北工业大学王洪强获国家专利权
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龙图腾网获悉西北工业大学申请的专利可溶液预氧化掺杂的有机空穴传输层及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115942849B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211510420.5，技术领域涉及：H10K71/30；该发明授权可溶液预氧化掺杂的有机空穴传输层及其制备方法和应用是由王洪强;叶林峰;郭鹏飞;叶谦;杨鹏辉;张凯源;赵鹏振设计研发完成，并于2022-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本可溶液预氧化掺杂的有机空穴传输层及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明属于有机半导体技术领域，公开了一种可溶液预氧化掺杂的有机空穴传输层及其制备方法和应用，所述制备方法为：将有机空穴传输材料与有机溶剂A形成溶液A；将金属盐与有机溶剂B形成溶液B；将溶液B与叔丁基吡啶分散至所述溶液A中形成溶液C；向溶液C中鼓入氧化性气体，获得P型掺杂的溶液D，将溶液D旋涂于光吸收体或基底上，即得到可溶液预氧化掺杂的有机空穴传输层。本发明制备方法简单，且制备的有机空穴传输层无需长时间在空气中氧化便具有优异的空穴迁移率和电导率，且将其制成钙钛矿太阳能电池后，光电转换效率高可以达到24％以上，性能和稳定性都得到了明显改善，在钙钛矿太阳能电池器件中具有良好的应用前景。
本发明授权可溶液预氧化掺杂的有机空穴传输层及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.可溶液预氧化掺杂的有机空穴传输层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1，将有机空穴传输材料均匀分散于有机溶剂A中，形成溶液A； 步骤2，将金属盐均匀分散于有机溶剂B中，形成溶液B；并将溶液B与叔丁基吡啶分散至所述溶液A中，形成溶液C； 步骤3，向所述溶液C中鼓入氧化性气体，获得P型掺杂的溶液D；将所述P型掺杂的溶液D旋涂于光吸收体或基底上，即得到所述可溶液预氧化掺杂的有机空穴传输层； 所述金属盐的结构式为AB2； 其中，A为金属阳离子，选自Fe2+、Sn2+、Pb2+、Sm2+、Eu2+中的任意一种； B为阴离子，选自双五氟乙烷磺酰亚胺根和双三氟甲基磺酰亚胺根的一种或多种。
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