西安交通大学王玮获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种金刚石场效应晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115863436B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211600276.4，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权一种金刚石场效应晶体管及其制备方法是由王玮;梁月松;牛田林;熊义承;陈根强;冯永昌;方培杨;王艳丰;林芳;张明辉;问峰;卜忍安;王宏兴;侯洵设计研发完成，并于2022-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种金刚石场效应晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种金刚石场效应晶体管及其制备方法，所述金刚石场效应晶体管包括：金刚石衬底、单晶金刚石外延薄膜、源电极、漏电极、应力调控薄膜和栅电极；金刚石衬底上设置有单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜上设置有氢终端区域和氧终端区域，氢终端区域为由二维空穴气导电层构成的沟道区域；沟道区域的两端分别设置有源电极和漏电极；源电极、漏电极以及未设置源漏电极的沟道区域上设置有应力调控薄膜；栅电极设置于应力调控薄膜和氧终端区域上。本发明引入了应力调控薄膜；基于应力调控薄膜，通过应力调控能够增强载流子迁移率，且不会损伤导电沟道的性能。
本发明授权一种金刚石场效应晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种金刚石场效应晶体管，其特征在于，包括：金刚石衬底1、单晶金刚石外延薄膜2、源电极3、漏电极4、应力调控薄膜6和栅电极7； 所述金刚石衬底1上设置有所述单晶金刚石外延薄膜2；所述单晶金刚石外延薄膜2上设置有氢终端区域和氧终端区域8，所述氢终端区域为由二维空穴气导电层构成的沟道区域5； 所述沟道区域5的两端分别设置有所述源电极3和所述漏电极4； 所述源电极3、所述漏电极4以及未设置源电极漏电极的沟道区域5上设置有所述应力调控薄膜6，所述应力调控薄膜6用于调控其下方单晶金刚石外延薄膜2和沟道区域5的应力，以提高所述二维空穴气导电层的载流子迁移率； 所述栅电极7设置于所述应力调控薄膜6和所述氧终端区域8上。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安交通大学，其通讯地址为：710049 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励