台湾积体电路制造股份有限公司庄学理获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利MRAM器件及确定其外部磁场和影响的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115862702B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210806839.9，技术领域涉及：G11C11/16；该发明授权MRAM器件及确定其外部磁场和影响的方法是由庄学理;李元仁;江典蔚;史毅骏设计研发完成，并于2022-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本MRAM器件及确定其外部磁场和影响的方法在说明书摘要公布了：提供了一种磁阻随机存取存储器MRAM器件及确定其外部磁场和影响的方法。MRAM器件包括主磁隧道结MTJ阵列和参考MTJ阵列，主磁隧道结MTJ阵列包括被配置为储存存储器数据的多个存储器单元，参考MTJ阵列包括具有MTJ结构的多个参考单元。MRAM器件还包括与主MTJ阵列和参考MTJ阵列可操作地相关联的控制器。控制器被配置为接收与外部磁场强度相关的参考MTJ阵列的总电阻，基于接收到的参考MTJ阵列的总电阻和预定阈值确定外部磁场是否致命，并且如果确定MRAM器件周围的外部磁场是致命的，则提供指示储存在主MTJ阵列中的存储器数据不可信的通知。
本发明授权MRAM器件及确定其外部磁场和影响的方法在权利要求书中公布了：1.一种由控制器实施的确定与所述控制器可操作地相关联的MRAM器件的外部磁场影响的方法，所述方法包括： 提供MRAM器件，所述MRAM器件包括磁隧道结阵列，所述磁隧道结阵列包括多个存储器单元和参考磁隧道结阵列，所述参考磁隧道结阵列包括多个参考单元，其中，多个存储器单元和所述多个参考单元一起形成于设置在衬底上方的互连结构内，所述多个参考单元分别具有比所述多个存储器单元更小的横向尺寸； 读取或写入储存在磁隧道结阵列中的存储器数据； 检测来自所述参考磁隧道结阵列的参考磁隧道结阵列信号； 将所述参考磁隧道结阵列信号与预定阈值进行比较；以及 如果所述参考磁隧道结阵列信号超过所述预定阈值，则提供指示所述存储器数据不可信的通知信号。
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