电子科技大学长三角研究院(湖州)廖永波获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学长三角研究院(湖州)申请的专利一种高可靠性全包围栅MOSFET的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115831749B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211293764.5，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种高可靠性全包围栅MOSFET的制作方法是由廖永波;魏超;彭鹏;林嘉诚;徐丰和;袁丕根;徐璐;黄乐天设计研发完成，并于2022-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高可靠性全包围栅MOSFET的制作方法在说明书摘要公布了：本发明专利涉及集成电路技术领域，尤其指一种高可靠性全包围栅MOSFET的制作方法。包括以下步骤，S1外延生长：在P+衬底上生长一层本征硅层；S2离子注入：在本征硅层的表面进行离子注入；S3退火；S4刻蚀：在P+衬底上的离子注入部分进行刻蚀；S5薄膜生长：在被刻蚀掉的部分进行薄膜生长SiO2层；S6淀积金属：在薄的SiO2层上，淀积金属，形成沟道。该结构能够直接通过改变刻蚀深度来控制器件的沟道长度，该制作方法工艺步骤更为简洁，提升了器件的可靠性。
本发明授权一种高可靠性全包围栅MOSFET的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种高可靠性全包围栅MOSFET的制作方法，其特征在于，所述的制作方法包括以下步骤： S1外延生长：在P+衬底1上生长一层本征硅层2； S2离子注入：在本征硅层2的表面进行N+离子的注入，能够在本征硅层2的表面形成N+区4； S3退火，使得N+区4发生扩散，进一步在P+衬底1和本征层N+区4的中央形成了N-区5；所述N+区4与N-区5共同称为有源区7； S4刻蚀：对P+衬底1上的离子注入部分进行刻蚀； S5薄膜生长：在被刻蚀掉的部分进行薄膜生长SiO2层3； S6淀积金属：在薄的SiO2层3上方淀积金属，形成沟道8。
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