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龙图腾网获悉旺宏电子股份有限公司申请的专利三维存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115831191B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111148805.7，技术领域涉及：G11C16/04；该发明授权三维存储器装置是由林永丰;罗思觉;叶腾豪;吕函庭设计研发完成，并于2021-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本三维存储器装置在说明书摘要公布了：本公开提供一种三维存储器装置，如三维与门快闪存储器装置。三维存储器装置包括多个存储单元阵列、多个位线开关以及多个源极线开关。存储单元阵列具有多个存储单元行分别耦接至多条源极线以及多条位线。位线开关、源极线开关分别由多个第一晶体管、第二晶体管所构成。第一晶体管耦接至一共同位线以及位线。第二晶体管耦接至共同源极线以及源极线。其中，第一晶体管为P型晶体管或具有三阱区基底的N型晶体管，第二晶体管为P型晶体管或具有三阱区基底的N型晶体管。

本发明授权三维存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器装置，包括： 多个存储单元阵列，这些存储单元阵列具有相对应的多个存储单元行，这些存储单元行分别耦接至多条源极线以及多条位线； 多个位线开关，分别由多个第一晶体管所构成，这些第一晶体管的第一端耦接至一共同位线，这些第一晶体管的第二端分别耦接至这些位线；以及 多个源极线开关，分别由多个第二晶体管所构成，这些第二晶体管的第一端耦接至一共同源极线，这些第二晶体管的第二端分别耦接至这些源极线， 其中，这些第一晶体管为P型晶体管或具有三阱区基底的N型晶体管，这些第二晶体管为P型晶体管或具有三阱区基底的N型晶体管； 其中这些第二晶体管为具有三阱区基底的N型晶体管时，各该第二晶体管包括： 一N型深阱区； 一P型阱区，形成在该N型深阱区上； 一N型阱区，形成在该P型阱区的侧边； 一第一N型重掺杂区、一第二N型重掺杂区以及一P型重掺杂区，形成在该P型阱区上，该第一N型重掺杂区与该第二N型重掺杂区间形成一通道，该P型重掺杂区用以接收一偏压电压；该第一N型重掺杂区、该第二N型重掺杂区以及该P型重掺杂区间通过一绝缘结构来隔离；以及 一栅极结构，形成在该第一N型重掺杂区、该第二N型重掺杂区以及该通道上。

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