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龙图腾网获悉杭州深谙微电子科技有限公司申请的专利上电复位电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115826718B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211274208.3，技术领域涉及：G06F1/24；该发明授权上电复位电路是由张庆亚;卫梦昭设计研发完成，并于2022-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本上电复位电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种上电复位电路，包括：连接于第一电源和第二电源之间的反馈分压单元，第一电源和第二电源之一为电源电压，反馈分压单元用于对电源电压进行分压以生成第一采样电压和第二采样电压；比较单元，包括第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管和第二晶体管的一端与第二电源连接，第一晶体管的控制端与第一采样电压连接，用于根据第一采样电压生成第一电流，第二晶体管的控制端与第二采样电压连接，用于根据第二采样电压生成第二电流，第一电流和第二电流在比较节点进行比较；以及整形单元，与比较节点连接，用于对比较节点的电压进行整形以输出复位信号，有效解决了传统上电复位电路对温度敏感的问题，避免了芯片上电过程中误触发的发生。

本发明授权上电复位电路在权利要求书中公布了：1.一种上电复位电路，其特征在于，包括： 连接于第一电源和第二电源之间的反馈分压单元，所述第一电源和所述第二电源之一为电源电压，所述反馈分压单元用于对电源电压进行分压以生成第一采样电压和第二采样电压，所述反馈分压单元包括：依次连接于所述第一电源和所述第二电源之间的第一电阻、第二电阻和第三晶体管，所述第二电阻靠近所述第三晶体管的一端用于输出所述第一采样电压，所述第二电阻远离所述第三晶体管的一端用于输出所述第二采样电压，所述第三晶体管的控制端与所述第二采样电压连接； 比较单元，包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第三晶体管的尺寸比为m:1:1，其中m为大于1的整数，且所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第三晶体管工作于亚阈值区，所述第一晶体管和所述第二晶体管的一端与所述第二电源连接，所述第一晶体管的控制端与所述第一采样电压连接，用于根据所述第一采样电压生成第一电流，所述第二晶体管的控制端与所述第二采样电压连接，用于根据所述第二采样电压生成第二电流，所述比较单元还包括电流镜结构，用于将所述第二电流镜像到所述第一电流所在的支路，且比较节点位于所述第一电流所在的支路，所述第一电流和所述第二电流在比较节点进行比较；以及 整形单元，与所述比较节点连接，用于对所述比较节点的电压进行整形以输出复位信号。

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