台湾积体电路制造股份有限公司李资良获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利沉积系统以及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115747772B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210621046.X，技术领域涉及：C23C16/50；该发明授权沉积系统以及方法是由李资良;郑柏贤设计研发完成，并于2022-06-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本沉积系统以及方法在说明书摘要公布了：提供了一种沉积系统和沉积方法。沉积方法包括：将衬底放置在沉积系统的室中的平台上方。将前体材料引入室。在耦合到室的第一电磁EM辐射源前面产生第一气幕。由所述室中的前体材料产生等离子体，其中等离子体包括前体材料的解离组分。使等离子体经受来自第一EM辐射源的第一EM辐射。第一EM辐射进一步解离前体材料。在衬底上方沉积层。该层包括前体材料的解离组分的反应产物。
本发明授权沉积系统以及方法在权利要求书中公布了：1.一种沉积方法，包括： 将衬底放置在沉积系统的室中的安装平台上方； 将前体材料引入所述室并且利用喷头将所述前体材料散布到所述室中； 在引入所述前体材料之后，使惰性气体在第一电磁辐射源和第二电磁辐射源前面流入所述室中，以在耦合到所述室的所述第一电磁辐射源和所述第二电磁辐射源前面产生气幕； 由所述室中的所述前体材料产生等离子体，其中，所述等离子体包括所述前体材料的解离组分； 使所述等离子体经受来自所述第一电磁辐射源的第一电磁辐射，其中，所述第一电磁辐射进一步解离所述前体材料； 在所述衬底上方沉积层，所述层包含所述前体材料的所述解离组分的反应产物；以及 使用来自所述第二电磁辐射源的第二电磁辐射在所述衬底的边缘处燃烧所述层中的簇缺陷， 其中，由所述第一电磁辐射源产生的所述第一电磁辐射通过第一窗口进入所述室并且在所述安装平台和所述喷头之间传播，所述第二电磁辐射源在平面图中沿着所述衬底的边缘放置并且具有均匀的间距，所述间距在50mm和200mm之间的范围内，由所述第二电磁辐射源中的每个产生的第二电磁辐射通过对应的第二窗口进入所述室，照射所述衬底的边缘的对应部分，所述气幕用于保护所述第一窗口和所述第二窗口，使得沉积在所述衬底上方的材料不沉积在所述第一窗口和所述第二窗口上。
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