广州集成电路技术研究院有限公司林盈志获国家专利权
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龙图腾网获悉广州集成电路技术研究院有限公司申请的专利一种半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115732399B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111019509.7，技术领域涉及：H10W20/43；该发明授权一种半导体器件及其制备方法是由林盈志;张峰溢;蔡尚元;王仁里设计研发完成，并于2021-09-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，方法包括：提供一中间体，在相邻栅极堆叠体之间的间隔区域所对应的层间介质层的上方形成阻挡结构，根据阻挡结构蚀刻层间介质层，以形成暴露栅极堆叠体的接触开口并去除阻挡结构，在接触开口内填充材料以形成接触单元；因为阻挡结构的存在可以避免相邻两个接触单元出现连通情况；进一步地，阻挡结构是由掩模层蚀刻形成，形成过程的横向尺寸可以灵活调整，上光刻层的开口尺寸可以接近该方向上相邻栅极及其间隔区域的宽度，相比与现有技术的方案，可以扩大光刻层开口尺寸，降低光刻难度，并且，借由阻挡结构的保护作用，可以准确定位在栅极堆叠体上方形成接触开口，提高接触单元与栅极堆叠体的负载面积。
本发明授权一种半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 提供一中间体，所述中间体包括衬底、层间介质层以及位于所述层间介质层上的图案化的掩模层，所述衬底上方形成源极漏极结构以及多个彼此间隔的栅极堆叠体，所述层间介质层形成于所述衬底上方并覆盖源极漏极结构和栅极堆叠体； 在相邻栅极堆叠体之间的间隔区域所对应的层间介质层的上方，通过蚀刻所述图案化的掩模层形成阻挡结构； 在所述阻挡结构和层间介质层上方淀积图案化的光刻层，并依据所述光刻层蚀刻层间介质层，以形成暴露栅极堆叠体的接触开口并去除阻挡结构； 在接触开口内填充材料以形成接触单元。
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