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龙图腾网获悉昕原半导体(上海)有限公司申请的专利2D1R阵列结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115713955B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211292990.1，技术领域涉及：G11C13/00；该发明授权2D1R阵列结构及其制备方法是由曹恒;仇圣棻设计研发完成，并于2022-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本2D1R阵列结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种2D1R阵列结构及其制备方法，其中，2D1R阵列结构包括横向设置的一一对应的m条字线和m条复位线以及纵向设置的n条位线；其中，m和n均为整数，m≥2，n≥2；并且，在各条字线与各条位线的相交处均设置有存储单元；所述存储单元包括第一二极管、第二二极管以及电阻，其中，所述电阻的一端与相对应的位线相连，所述电阻的另一端分别与所述第一二极管的正极以及所述第二二极管的负极相连，所述第一二极管的负极与相对应的字线相连，所述第二二极管的正极与相对应的复位线相连。本发明提供的2D1R阵列结构能够解决现有的2D1R阵列结构中阱与阱之间的隔离性能差且易产生较大IRdrop的问题。

本发明授权2D1R阵列结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种2D1R阵列结构，其特征在于，包括横向设置的一一对应的m条字线和m条复位线以及纵向设置的n条位线；其中，m和n均为整数，m≥2，n≥2；并且， 在各条字线与各条位线的相交处均设置有存储单元；所述存储单元包括第一二极管、第二二极管以及电阻，其中，所述电阻的一端与相对应的位线相连，所述电阻的另一端分别与所述第一二极管的正极以及所述第二二极管的负极相连，所述第一二极管的负极与相对应的字线相连，所述第二二极管的正极与相对应的复位线相连；其中，所述存储单元为2D1R单元，所述2D1R单元基于如下工艺制备： 通过离子注入的方式形成交替设置的n阱区和p阱区； 通过刻蚀工艺在所述n阱区和所述p阱区的交界处形成深沟区，通过刻蚀工艺在各n阱区和各p阱区内均设置浅沟区； 通过填充与研磨工艺对所述深沟区和所述浅沟区进行处理，以通过所述深沟区将相邻的n阱区与p阱区分离，同时通过所述浅沟区在各n阱区和各p阱区内形成分离的有源区； 通过离子注入的方式对各有源区进行处理，以在各n阱区和各p阱区内均形成n型有源区和p型有源区； 截取相应的n型有源区、p型有源区、深沟区以及浅沟区并与预设的电阻矩阵中的电阻相连构成一个2D1R单元；其中，对于各n阱区，每间隔两个p型有源区设置一个n型有源区，并将所述n型有源区作为n+引出端子；对于各p阱区，每间隔两个n型有源区设置一个p型有源区，并将所述p型有源区作为p+引出端子。

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