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龙图腾网获悉深圳市硅格半导体有限公司申请的专利闪存存储器的数据存储方法、装置、终端设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115543189B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211114195.3，技术领域涉及：G06F3/06；该发明授权闪存存储器的数据存储方法、装置、终端设备及存储介质是由邓伟超;吴大畏;李晓强设计研发完成，并于2022-09-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本闪存存储器的数据存储方法、装置、终端设备及存储介质在说明书摘要公布了：本发明公开了一种闪存存储器的数据存储方法、装置、终端设备及存储介质，所述闪存存储器的数据存储方法包括以下步骤：计算初始化的闪存存储器中各存储块各自的第一错误bit数和基础错误bit数；将基础错误bit数和第一错误bit数添加至闪存存储器的磨损表，其中，磨损表包括各存储块各自的擦除次数；根据磨损表确定各存储块中的目标存储块，其中，目标存储块的第二错误bit数与基础错误bit数的和为磨损表中最小的，第二错误bit数为第一错误bit数和擦除次数的积；根据目标存储块进行闪存存储器的数据存储。本发明实现了避免因为存储块的数据中错误bit数过多以及擦除次数过多导致读取数据的速度变慢。

本发明授权闪存存储器的数据存储方法、装置、终端设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种闪存存储器的数据存储方法，其特征在于，所述闪存存储器的数据存储方法包括以下步骤： 计算初始化的闪存存储器中各存储块各自的第一错误bit数和基础错误bit数； 将所述基础错误bit数和所述第一错误bit数添加至所述闪存存储器的磨损表，其中，所述磨损表包括各所述存储块各自的擦除次数； 根据所述磨损表确定各所述存储块中的目标存储块，其中，所述目标存储块的第二错误bit数与所述基础错误bit数的和为所述磨损表中最小的，所述第二错误bit数为所述第一错误bit数和擦除次数的积； 根据所述目标存储块进行闪存存储器的数据存储； 其中，所述第一错误bit数为所述存储块上每2KB数据中存在的错误bit数，所述计算初始化的闪存存储器中各存储块各自的第一错误bit数和基础错误bit数的步骤，包括： 擦除初始化的闪存存储器中各所述存储块上的数据并在所述存储块上重新写入数据； 分别从各所述存储块中读取重新写入的数据以得到各所述存储块各自的所述基础错误bit数； 在对各个所述存储块重复进行预设数量的擦除操作后，在各个所述存储块上重新写入数据，并分别从各所述存储块中读取重新写入的数据以得到各所述存储块各自的第三错误bit数； 针对各所述存储块，计算所述基础错误bit数与所述第三错误bit数之间的差值，使用所述差值的绝对值除以所述预设数量计算得到所述存储块的平均错误bit数，并使用所述平均错误bit数计算每2KB数据中的错误bit数。

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