上海新昇半导体科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所魏星获国家专利权
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龙图腾网获悉上海新昇半导体科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利一种绝缘体上硅结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115513123B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211374642.9，技术领域涉及：H10P90/00；该发明授权一种绝缘体上硅结构及其形成方法是由魏星;汪子文;戴荣旺;陈猛;徐洪涛设计研发完成，并于2022-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种绝缘体上硅结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种绝缘体上硅结构及其形成方法，绝缘体上硅结构的形成方法，通过活化处理增加键合工艺时的常温键合强度，降低了后续加固工艺所需的温度，从而降低了所述腐蚀停止层中的异质组分热扩散，保证了所述腐蚀停止层与器件层之间的界面清晰，进而避免了所述器件层在后续去除腐蚀停止层之后所述器件层的厚度均匀性恶化；还通过两次选择性腐蚀工艺控制腐蚀后器件层的均匀性，使得最终得到的绝缘体上硅结构的器件层的厚度均匀性小于10％；还通过牺牲氧化层的形成和去除使得器件层的表面没有高频腐蚀起伏的多孔形貌存在。
本发明授权一种绝缘体上硅结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种绝缘体上硅结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤S1：提供第一衬底和第二衬底，所述第一衬底具有相对设置的第一正面和第一背面，所述第一正面上依次形成有腐蚀停止层和器件层，所述第二衬底具有第二正面； 步骤S2：使用氧等离子体活化处理所述第二正面和所述器件层的表面，并键合所述第一衬底和第二衬底，所述第二正面朝向所述器件层，并进行温度为300℃～500℃的低温加固处理； 步骤S3：使用机械研磨从所述第一背面减薄所述第一衬底； 通过第一腐蚀剂第一次选择性腐蚀剩余的所述第一衬底，并刻蚀停止在所述腐蚀停止层； 通过第二腐蚀剂第二次选择性腐蚀所述腐蚀停止层，并刻蚀停止在所述器件层的表面，使得所述器件层的表面具有多孔层；以及 步骤S4：在所述器件层上生成牺牲氧化层，所述牺牲氧化层填充并覆盖所述多孔层，并通过湿法刻蚀工艺去除所述牺牲氧化层和多孔层，以得到绝缘体上硅结构。
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