复旦大学王天宇获国家专利权
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龙图腾网获悉复旦大学申请的专利一种太赫兹神经突触忆阻器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115084364B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210609621.4，技术领域涉及：H10N70/00；该发明授权一种太赫兹神经突触忆阻器件及其制备方法是由王天宇;孟佳琳;何振宇;陈琳;孙清清;张卫设计研发完成，并于2022-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种太赫兹神经突触忆阻器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种太赫兹神经突触忆阻器件及其制备方法。该太赫兹神经突触忆阻器件包括：衬底；有源区，形成在所述衬底上；两个电极，其为叉指状，包括测试部和指状部，两个电极的测试部分别形成在所述有源区两侧，指状部以一定间隔交错排列在所述有源区上，并且相邻指状部间的间距控制在纳米级；将两个电极分别作为神经突触的突触前端和突触后端，在突触前端施加高频电压信号作为神经突触的激励源，对突触后端的电流信号响应进行采集，从而实现太赫兹神经形态计算功能。
本发明授权一种太赫兹神经突触忆阻器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种太赫兹神经突触忆阻器件，其特征在于， 包括： 衬底； 有源区，形成在所述衬底上； 两个电极，其为叉指状，包括测试部和指状部，两个电极的测试部分别形成在所述有源区两侧，指状部以一定间隔交错排列在所述有源区上，并且相邻指状部间的间距控制在纳米级； 将两个电极分别作为神经突触的突触前端和突触后端，在突触前端施加高频电压信号作为神经突触的激励源，对突触后端的电流信号响应进行采集，从而实现太赫兹神经形态计算功能， 器件实现高速响应的原理是氧空位导电通道在高频电压下的形成与断裂，主要分为四个阶段，第一阶段：当在作为突触前端的电极施加正电压时，氧空位开始积累，但未形成连续通道，因此器件处于高电阻的状态；第二阶段：继续在作为突触前端的电极施加正电压，正负电极间的氧空位逐渐连接形成导电通道，器件处于低阻态；第三阶段：当在作为突触前端的电极施加负电压时，一部分氧空位与氧离子结合，氧空位导电细丝断裂，器件的导电性降低，器件处于高电阻的状态；第四阶段：施加正向电压至突触前端的电极，氧空位再次积累形成导电通道，器件再次恢复为低电阻状态。
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