台湾积体电路制造股份有限公司颜翠玲获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体元件与其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695311B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110697518.5，技术领域涉及：H10W20/43；该发明授权半导体元件与其制作方法是由颜翠玲;陈建宏设计研发完成，并于2021-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件与其制作方法在说明书摘要公布了：一种半导体元件与其制作方法，半导体元件包含：导电特征、设置于导电特征上方的介电层、以及延伸穿透介电层的接触特征。接触特征具有上部与下部。上部是以间隔层从介电层分离。下部是电性地耦接至导电特征并且与介电层接触。
本发明授权半导体元件与其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件，其特征在于，包含： 一第一导电特征； 一第一介电层，设置于该第一导电特征上方；以及 一第一接触特征，延伸穿透该第一介电层，该第一接触特征电性地耦接至该第一导电特征； 其中该第一接触特征的一上部是通过一第二介电层侧向地从该第一介电层的一第一内侧壁分离，且该第一接触特征的一下部是与该第一介电层的该第一内侧壁接触， 其中该第一接触特征包含一中间边界，该中间边界从该上部的一侧壁的一下缘侧向延伸至该下部的一侧壁的一上缘。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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