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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利非易失性磁性随机存储结构及非易失性磁性随机存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114333936B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011062641.1，技术领域涉及：G11C11/16；该发明授权非易失性磁性随机存储结构及非易失性磁性随机存储器是由王韬;汪腾野;罗睿明设计研发完成，并于2020-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本非易失性磁性随机存储结构及非易失性磁性随机存储器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种非易失性磁性随机存储结构及非易失性磁性随机存储器，其中，存储结构包括至少一个存储单元，存储单元包括第一存储体、第二存储体和开关晶体管；第一存储体和第二存储体的磁化状态相反。第一存储体的第一端和第二存储体的第一端分别与开关晶体管的漏极连接。第一存储体的第二端与第一位线连接，第二存储体的第二端与第二位线连接，且分别连接至读取电路。开关晶体管的栅极与字线连接，开关晶体管的源极与源线连接，且源线连接有第一电压产生器。本方案将两个磁化状态相反的存储体并联，利用存储体面积占比小的特点，一个存储体作为判断单元时，另一个作为参考单元，由此避免了单一参考电流易受漂移电流的影响，提高判断的灵敏度。

本发明授权非易失性磁性随机存储结构及非易失性磁性随机存储器在权利要求书中公布了：1.一种非易失性磁性随机存储器，所述非易失性存储器包括非易失性磁性随机存储结构，以及读取电路，其特征在于， 所述非易失性存储结构包括至少一个存储单元，所述存储单元包括第一存储体、第二存储体和开关晶体管；其中，所述第一存储体和所述第二存储体的磁化状态相反； 所述第一存储体的第一端和所述第二存储体的第一端分别与同一所述开关晶体管的漏极连接； 所述第一存储体的第二端与第一位线连接，所述第二存储体的第二端与第二位线连接，且分别连接至读取电路； 所述开关晶体管的栅极与字线连接，所述开关晶体管的源极与源线连接，且所述源线连接有第一电压产生器；并且， 所述读取电路包括： 比较放大器； 位线地址选择器，所述位线地址选择器包括第一位线地址选择器和第二位线地址选择器；其中 所述第一位线地址选择器连接所述比较放大器的同相输入端和所述第一存储体的第二端，所述第二位线地址选择器连接所述比较放大器的反向输入端和所述第二存储体的第二端，并且， 所述第一位线地址选择器与所述比较放大器的同相输入端连接至数据电压，所述第二位线地址选择器与所述比较放大器的反向输入端连接至参考电压； 所述读取电路还包括第一偏置电压模块、第二偏置电压模块和偏置电流模块；其中， 所述第一偏置电压模块与所述数据电压连接，所述第二偏置电压模块与所述参考电压连接；并且， 所述第一偏置电压模块与所述第二偏置电压模块还连接至电源电压，所述偏置电流模块位于所述第一偏置电压模块与所述第二偏置电压模块之间。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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