苏州纳维科技有限公司陈吉湖获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉苏州纳维科技有限公司申请的专利复合衬底的制备方法及复合衬底获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113643978B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110850235.X，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权复合衬底的制备方法及复合衬底是由陈吉湖;聂恒亮;苏克勇设计研发完成，并于2021-07-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本复合衬底的制备方法及复合衬底在说明书摘要公布了：本发明提供了一种复合衬底的制备方法及复合衬底，所述制备方法包括：提供一III‑V族单晶衬底，所述III‑V族单晶衬底具有III族极性面和V族极性面；在所述III‑V族单晶衬底的V族极性面上形成纳米线层。所述复合衬底包括：III‑V族单晶衬底，所述III‑V族单晶衬底具有III族极性面和V族极性面；纳米线层，所述纳米线层设置在所述III‑V族单晶衬底的V族极性面上。本发明通过在III‑V族单晶衬底的V族极性面上设置纳米线层，有效地缓解GaN衬底的N极性面欧姆接触差问题，降低接触电阻，提高N极性面欧姆接触的热稳定性，提高了器件的可靠性。
本发明授权复合衬底的制备方法及复合衬底在权利要求书中公布了：1.一种复合衬底的制备方法，其特征在于，包括： 提供一III-V族单晶衬底，所述III-V族单晶衬底具有III族极性面和V族极性面，所述III-V族单晶衬底采用非掺杂GaN材料，且所述III-V族单晶衬底的厚度为10μm-500μm； 在所述III-V族单晶衬底的V族极性面上直接形成纳米线层，所述纳米线层采用GaN材料，所述纳米线层用于将所述V族极性面上的欧姆接触转变成非极性面上的欧姆接触，从而降低所述V族极性面的接触电阻，所述纳米线层的表面蒸镀有金属电极。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州纳维科技有限公司，其通讯地址为：215123 江苏省苏州市中国(江苏)自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20幢518室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励