三星电子株式会社李景镐获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利图像传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112992942B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011175490.0，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权图像传感器是由李景镐;金范锡;沈殷燮设计研发完成，并于2020-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本图像传感器在说明书摘要公布了：公开了一种图像传感器包括：半导体衬底，具有第一表面和第二表面，并具有像素区域，该像素区域具有光电转换区域；栅电极，设置在像素区域上并与第一表面相邻；第一隔离结构，从第一表面朝向第二表面延伸，第一隔离结构包括：第一像素隔离图案，包围像素区域；以及第一内部隔离图案，与第一像素隔离图案间隔开并且位于光电转换区域之间；以及第二隔离结构，从第二表面朝向第一表面延伸，具有与第一隔离结构的底表面的至少一部分竖直地间隔开的顶表面。与半导体衬底的第一表面相比，第一隔离结构的底表面更靠近半导体衬底的第二表面。
本发明授权图像传感器在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器，包括： 半导体衬底，具有第一表面和第二表面，所述半导体衬底包括具有多个光电转换区域的像素区域； 栅电极，设置在所述像素区域上并与所述第一表面相邻； 第一隔离结构，从所述第一表面朝向所述第二表面延伸，所述第一隔离结构包括：第一像素隔离图案，包围所述像素区域；以及第一内部隔离图案，与所述第一像素隔离图案间隔开并且位于所述多个光电转换区域之间；以及 第二隔离结构，从所述第二表面朝向所述第一表面延伸，所述第二隔离结构具有与所述第一隔离结构的底表面的至少一部分竖直地间隔开的顶表面， 其中，与所述半导体衬底的所述第一表面相比，所述第一隔离结构的所述底表面更靠近所述半导体衬底的所述第二表面， 其中，所述图像传感器还包括： 势垒区域，设置在所述半导体衬底中以覆盖所述第一隔离结构的侧表面， 其中，所述光电转换区域包括第二导电类型的杂质，以及 其中，所述势垒区域和所述半导体衬底包括与所述第二导电类型不同的第一导电类型的杂质，并且所述势垒区域的第一导电类型的杂质的第一浓度高于所述半导体衬底的第一导电类型的杂质的第二浓度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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