三星电子株式会社申芝渊获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利非易失性存储器设备和控制其初始化的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112309475B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010533633.4，技术领域涉及：G11C16/20；该发明授权非易失性存储器设备和控制其初始化的方法是由申芝渊;南尚完;朴相元设计研发完成，并于2020-06-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本非易失性存储器设备和控制其初始化的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种非易失性存储器设备和控制其初始化方法。一种方法包括：执行第一感测操作，以感测存储在第一存储器面的第一存储器单元中的写入设置数据，并将第一读取设置数据存储在第一存储器面的第一页缓冲器电路中；执行第二感测操作，以感测存储在第二存储器面的第二存储器单元中的写入设置数据，并将第二读取设置数据存储在第二存储器面的第二页缓冲器电路中；以及执行转储操作，以基于第一读取设置数据和第二读取设置数据将与写入设置数据对应的恢复设置数据存储在缓冲器中。
本发明授权非易失性存储器设备和控制其初始化的方法在权利要求书中公布了：1.一种控制非易失性存储器设备的初始化的方法，包括： 执行第一感测操作，以感测存储在所述非易失性存储器设备的第一存储器面的第一存储器单元中的写入设置数据，并将第一读取设置数据存储在第一存储器面的第一页缓冲器电路中； 执行第二感测操作，以感测存储在所述非易失性存储器设备的第二存储器面的第二存储器单元中的写入设置数据，并将第二读取设置数据存储在第二存储器面的第二页缓冲器电路中；以及 执行转储操作，以基于第一读取设置数据的有效性和第二读取设置数据的有效性，将与写入设置数据对应的恢复设置数据存储在所述非易失性存储器设备的缓冲器中。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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