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重庆芯联微电子有限公司郑印呈获国家专利权

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龙图腾网获悉重庆芯联微电子有限公司申请的专利一种分区调节反应气体的氧化膜沉积装置获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN224205566U

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202520054418.4,技术领域涉及:H10P72/00;该实用新型一种分区调节反应气体的氧化膜沉积装置是由郑印呈设计研发完成,并于2025-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。

一种分区调节反应气体的氧化膜沉积装置在说明书摘要公布了:本实用新型公开了一种分区调节反应气体的氧化膜沉积装置,其特征在于包括至少一个反应气体调节模块,所述反应气体调节模块包括供气单元、进气单元和气道,所述供气单元通过一混合管道连通所述进气单元,反应气体通过所述进气单元上的进气区流入所述反应腔室并在晶圆上方形成至少一个所述气道,所述气道覆盖所述晶圆表面,所述进气区上设置有出气孔;所述供气单元包括多条单气体管道,所述单气体管道上均设置有流量控制器,所述进气单元设置在反应腔室一侧的侧壁上,所述反应腔室的另一侧连接有出气单元。本实用新型可以实现单个混合管道内各反应气体流量的单独调节,每个混合管道内的反应气体通过分路管道进入进气单元在反应腔室内的晶圆上方形成气道,从而实现不同气道对应区域的反应气体流量的单独调节。

本实用新型一种分区调节反应气体的氧化膜沉积装置在权利要求书中公布了:1.一种分区调节反应气体的氧化膜沉积装置,其特征在于包括:至少一个反应气体调节模块A,所述反应气体调节模块A包括供气单元B、进气单元C和气道,所述供气单元B通过一混合管道3连通所述进气单元C,反应气体通过所述进气单元C上的进气区5流入反应腔室并在晶圆上方形成至少一个所述气道,所述气道覆盖所述晶圆表面,所述进气区5上设置有出气孔;所述供气单元B包括接入所述混合管道3的多条单气体管道1,所述单气体管道1上均设置有流量控制器2,所述进气单元C设置在所述反应腔室6一侧的侧壁上,所述反应腔室6的另一侧连接有出气单元。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人重庆芯联微电子有限公司,其通讯地址为:401332 重庆市沙坪坝区西永街道西永大道28-2号SOHO楼601-A153;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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