佛山市国星半导体技术有限公司陈慧秋获国家专利权
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龙图腾网获悉佛山市国星半导体技术有限公司申请的专利一种用于显示屏的垂直结构LED芯片获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224205550U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520845713.1，技术领域涉及：H10H20/819；该实用新型一种用于显示屏的垂直结构LED芯片是由陈慧秋;周鑫;于倩倩;旷明胜;范敏聪设计研发完成，并于2025-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于显示屏的垂直结构LED芯片在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种用于显示屏的垂直结构LED芯片，涉及半导体技术领域，芯片本体的横截面呈正方形结构，其边长长度范围为100～500μm；正方形结构按照田字形逆时针平均分成四个区域，P电极柱位于第三区域中，第一区域、第二区域和第四区域中的任一区域内至多设置有一个N型导电柱，导电小柱均匀分布在第一区域、第二区域和第四区域中，导电小柱的直径范围为1～50μm，相邻导电小柱的间距范围为10～100μm。本实用新型通过按照田字形均匀划分正方形结构的芯片区域，并合理排布P电极柱、N型导电柱和导电小柱，能够有效提高小尺寸垂直结构LED芯片中电流分布的均匀性，从而避免加剧热效应，并保障发光效率。
本实用新型一种用于显示屏的垂直结构LED芯片在权利要求书中公布了：1.一种用于显示屏的垂直结构LED芯片，其特征在于，包括芯片本体，所述芯片本体中设置有1个P电极柱、至少1个N型导电柱和多个导电小柱；所述芯片本体的横截面呈正方形结构，所述正方形结构的边长长度范围为100～500μm； 所述正方形结构按照田字形逆时针平均分成第一区域、第二区域、第三区域和第四区域，所述P电极柱位于所述第三区域中，所述第一区域、所述第二区域和所述第四区域中的任一区域内至多设置有一个所述N型导电柱，多个所述导电小柱均匀分布在所述第一区域、所述第二区域和所述第四区域中，任一所述导电小柱的直径范围为1～50μm，相邻导电小柱之间的间距范围为10～100μm。
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