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龙图腾网获悉碳芯微电子科技(深圳)有限公司申请的专利一种DRAM颗粒修复映射的二维码编码方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121436014B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202512003067.1，技术领域涉及：G06K19/06；该发明授权一种DRAM颗粒修复映射的二维码编码方法及系统是由杨小波设计研发完成，并于2025-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种DRAM颗粒修复映射的二维码编码方法及系统在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体存储器修复技术领域，具体为一种DRAM颗粒修复映射的二维码编码方法及系统。包括：确定总块数和允许损坏块数，设定包含块状态信息和校验信息的编码规则；对待测颗粒进行测试，识别损坏块位置；根据编码规则生成修复数据，采用扩展汉明码计算校验字节；将编码信息转换为二维码并激光打印在颗粒表面；在生产线上扫码读取并进行校验和纠错，单比特错误自动纠正，双比特错误提示重新扫码，写入存储区；在应用时从存储区读取修复数据，再次校验和纠错，执行块映射。本发明通过双阶段纠错保护机制，确保修复数据可靠传输，显著提高颗粒利用率。

本发明授权一种DRAM颗粒修复映射的二维码编码方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种DRAM颗粒修复映射的二维码编码方法，其特征在于，包括： S100：确定DRAM颗粒的总块数、允许的损坏块数，并设定包含块状态信息和校验信息的编码规则； S200：对待测DRAM颗粒进行测试，识别损坏块的位置； S300：根据所述编码规则和识别出的损坏块位置，生成修复数据，并采用扩展汉明码对修复数据计算校验字节； S400：将包含修复数据和校验字节的编码信息转换为二维码，并通过激光在DRAM颗粒表面打印所述二维码； S500：在生产线上通过扫码设备读取DRAM颗粒表面的二维码，对读取的数据进行校验和纠错，当检测到单比特错误时自动纠错后写入存储区，当检测到双比特错误时提示重新扫码，直至获取正确数据并写入存储区； S600：在应用时，从存储区读取修复数据，对所述修复数据进行校验和纠错，根据纠错后的修复数据执行块映射； 所述编码规则包括： 第一字节为总块数； 第二字节为允许的损坏块数； 第三字节至第N字节构成块状态字节组，块状态字节组中的每个比特位对应一个块的状态； 第N+1字节为校验字节； 所述扩展汉明码为SECDED编码； 所述采用扩展汉明码对修复数据计算校验字节的步骤包括： 对第一字节至第N字节进行扩展汉明码编码运算，生成所述校验字节。

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