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龙图腾网获悉天津三环奥纳科技有限公司申请的专利一种纳米晶合金磁芯及其制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118942829B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411010414.2，技术领域涉及：H01F1/147；该发明授权一种纳米晶合金磁芯及其制备工艺是由安海路;周小江;吴艳敏设计研发完成，并于2024-07-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种纳米晶合金磁芯及其制备工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种纳米晶合金磁芯及其制备工艺，本发明涉及磁性材料技术领域，包括如下按重量百分比计的各成分制成：纯铁81％～85％、纯铜0.8％～1.2％、硅铁8％～10％、硼铁5.5％～8.5％。该纳米晶合金磁芯及其制备工艺，通过将铜片均匀的螺旋状缠绕在磁芯的内外两侧，可以延迟磁芯内外表面升温，缩小磁芯中部与内外两侧的温差，让磁芯中部与两侧的温度分布更均匀，促进更均匀的消除内应力，有利于第二步退火时磁芯不同位置同时形核与生长，使得磁芯内外位置的晶粒大小更均匀从而改善磁芯性能。

本发明授权一种纳米晶合金磁芯及其制备工艺在权利要求书中公布了：1.一种纳米晶合金磁芯的制备工艺，其特征在于，包括以下制备步骤： S1、母合金的制备： S11、将纯铁、纯铜、硅铁以及硼铁为原材料，并对原材料进行超声清洗，除去表面污垢后进行干燥处理； S12、然后置于真空熔炼炉中，进行反复熔炼，即得成分分配均匀的母合金； S2、将母合金进行卷绕，制得磁芯； S3、对磁芯采用真空热处理：将磁芯置于管式炉中，并通入氮气，然后以10℃min升温至500～510℃后，保温15～20min，再以1℃min升温至540～550℃后，保温50～60min，降温至180～200℃时出炉，得纳米晶合金磁芯； 包括如下按重量百分比计的各成分制成：纯铁81%～85%、纯铜0.8%～1.2%、硅铁8%～10%、硼铁5.5%～8.5%； 该纳米晶合金磁芯的制备工艺还包括：S4、将纳米晶合金磁芯置于钝化液中，常温下浸泡100～120min；然后采用无水乙醇进行浸泡清洗，再放入温度为50～60℃的干燥箱中进行烘干40～60min； 所述钝化液为铁系磷化物钝化液，且在使用前将其稀释成8%的溶液； 所述S3中，在热处理过程中，将磁芯内外缠绕铜带，缠绕为螺旋状，且单层铜带厚为0.1～0.3mm。

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