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龙图腾网获悉山西中来光能电池科技有限公司申请的专利一种基于物理沉积技术的防爆膜硅太阳电池及其生产工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117467950B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311425312.2，技术领域涉及：C23C14/32；该发明授权一种基于物理沉积技术的防爆膜硅太阳电池及其生产工艺是由张耕;乔晓琴;郭飞;邹金圩;熊大明;林建伟设计研发完成，并于2023-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于物理沉积技术的防爆膜硅太阳电池及其生产工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于物理沉积技术的防爆膜硅太阳电池及其生产工艺，该电池结构包括硅衬底，正面由内到外依次制备有P++发射极、氧化铝层、氮化硅层、金属电极，背面由内到外依次制备有氧化硅隧穿层、轻掺杂并少氢的多晶硅层、重掺杂并富氢的多晶硅层、氮化硅层、金属电极。本发明的防爆膜硅太阳电池生产工艺，基于不会导致绕镀产生的PVD技术，通过调节TOPCon结构中的[H]含量，减少爆膜不良的产生，并且通过后续的氨气退火，将[H]补足，保证了薄膜的钝化能力；本发明基于PVD技术的防爆膜工艺，相较于已公开的其它制备技术，在不产生绕镀的前提下，减少了爆膜现象的产生，提高了电池良率，减少了组件制备中的残次品。

本发明授权一种基于物理沉积技术的防爆膜硅太阳电池及其生产工艺在权利要求书中公布了：1.一种基于物理沉积技术的防爆膜硅太阳电池生产工艺，其特征在于，包括依次进行的如下步骤： 步骤1、对硅片进行制绒、清洗以及硼扩散工艺； 步骤2、利用激光在硅片上需要进行金属栅线印刷的位置进行激光掺杂制备P++发射极； 步骤3、采用链式机台，并使用HF水溶液去除硅片背面以及侧面的硼硅玻璃； 步骤4、对硅片背面进行碱抛光，经前清洗、抛光后，增加后清洗溶液中的碱含量，微刻蚀硅片抛光面； 步骤5、使用PVD技术在硅片背面制备TOPCon结构，即先制备超薄隧穿氧化层，将生长掺杂非晶硅的工艺分为两部分完成：1首先在腔中利用氩离子轰击硅靶材，以在硅片背表面沉积本征非晶硅薄膜，此时，不通入掺杂源，并将沉积温度维持在350～400℃，以减少薄膜中［H］的含量；2在沉积本征非晶硅薄膜后，再通入PH3气体，掺杂磷元素，制得掺杂非晶硅层； 步骤6、以600℃的温度退火300～500s，并在传统氮气气氛下加入氨气，300s后停止通入氨气，并以10℃min的速度将退火温度提升至850℃，恒温保持2000s，以激活掺杂非晶硅层中的掺杂原子，并补充步骤5中在PVD工艺中所减少的［H］； 步骤7、退火结束后，进行BOE清洗； 步骤8、利用原子层沉积设备在硅片正表面制备氧化铝钝化层； 步骤9、利用等离子体增强化学沉积系统在硅片的正、背面均制备氮化硅减反射膜，以减少光反射； 步骤10、利用丝网印刷设备在硅片正、背面涂敷金属浆料，经烧结炉高温加工，制备金属栅线，使金属材料与硅结合形成合金，将光生载流子导出，完成电池的制备。

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