买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种用于大面积薄膜制备的磁控系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117344279B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311440934.2，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种用于大面积薄膜制备的磁控系统是由方海生;安巧如;李婕设计研发完成，并于2023-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于大面积薄膜制备的磁控系统在说明书摘要公布了：本发明属于磁控溅射薄膜沉积相关技术领域，并公开了一种用于大面积薄膜制备的磁控系统。该磁控系统包括沉积基片和移动靶，沉积基片与移动靶相对设置，移动靶包括靶材、供气环和动态磁体，该靶材与电场阴极连接使得靶材作为磁控溅射的阴极靶材，供气环用于向靶材周围提供反应气体，动态磁铁设置在移动靶中，用于在靶材周围提供磁场范围可调的磁场；当移动靶的中心与沉积基片的圆心在同一水平线上时，磁场范围最小，在沉积基片上形成的沉积斑面积最小，当移动靶沿着沉积基片的半径方向远离该沉积基片的圆心运动时，磁场范围逐渐增大，在沉积基片上形成的沉积斑面积逐渐增大。通过本发明，解决现有技术中大面积薄膜制备的沉积均匀性难以调控的问题。

本发明授权一种用于大面积薄膜制备的磁控系统在权利要求书中公布了：1.一种用于大面积薄膜制备的磁控系统，其特征在于，该磁控系统包括沉积基片10和移动靶100，其中， 所述沉积基片10与所述移动靶100相对设置，该沉积基片10可绕自身中心旋转，所述移动靶100包括靶材140、供气环110和动态磁体，所述靶材140设置在所述移动靶100的顶端，该靶材140与电场阴极连接使得所述靶材140作为磁控溅射的阴极靶材140，所述供气环110用于向所述靶材140周围提供反应气体，所述动态磁体设置在所述移动靶100中，用于在所述靶材140周围提供磁场范围可调的磁场； 当所述移动靶100的中心与所述沉积基片10的圆心在同一水平线上时，所述磁场范围最小，在所述沉积基片10上形成的沉积斑面积最小，当所述移动靶100沿着所述沉积基片10的半径方向远离该沉积基片10的圆心运动时，所述磁场范围逐渐增大，在所述沉积基片10上形成的沉积斑面积逐渐增大； 磁控溅射沉积过程中，所述沉积基片10的旋转和移动靶100的移动使沉积斑完全扫描沉积基片10表面，调节转速和移速以控制沉积斑位置和沉积时长，进而实现大面积薄膜均匀沉积； 通过基片旋转和移动靶直线运动调节放电区域位置，从而使沉积斑能够覆盖大面积基片，可实现小型磁控靶制备大面积薄膜；动态磁体随移动靶位置收缩外扩，移动靶与基片同轴时外磁体收缩，沿基片半径方向移动时逐渐外扩，从而使沉积斑面积向基片边缘方向扩大，适应圆形基片薄膜沉积，可使大面积镀膜均匀性显著提高； 所述动态磁体包括内磁体130和外磁体120，所述内磁体130固定在所述移动靶100的中心，所述外磁体120随着所述移动靶100沿着所述沉积基片10的半径方向远离该沉积基片10的圆心运动逐渐远离所述内磁体130，以此使得磁场范围逐渐增大； 所述内磁体130和外磁体120的磁极方向相反，磁场范围收缩时，所述内磁体130和外磁体120之间的距离减小，磁场范围扩大时，所述内磁体130和外磁体120之间的距离增大； 所述外磁体120呈圆环分布，所述内磁体130设置在所述外磁体120中心，磁场范围收缩时，所述外磁体120沿所述圆环半径方向朝靠近所述内磁体130方向移动，磁场范围扩大时，所述外磁体120沿所述圆环半径方向朝远离所述内磁体130方向移动。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华中科技大学，其通讯地址为：430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。