浙江朗德电子科技有限公司金波获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江朗德电子科技有限公司申请的专利一种MOSFET气体传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116990374B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310975601.3，技术领域涉及：G01N27/414；该发明授权一种MOSFET气体传感器及其制备方法是由金波;陈磊;金杰;徐建涛设计研发完成，并于2023-08-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MOSFET气体传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种MOSFET气体传感器，其包括：衬底，为掺杂的半导体材质；半导体层，表面设置有沟道，所述半导体层位于沟道的一端设置有源区，另一端设置有漏区；绝缘介质层，位于衬底与半导体层之间，用于将半导体和衬底电学分隔；源极和漏极，分别设置于源区和漏区；钝化层，覆盖于半导体层以及部分绝缘介质层；气敏层，覆盖于沟道区域；其中，所述半导体层位于沟道的一侧设置有栅区缺口，所述栅区缺口将绝缘介质层贯穿，所述衬底位于栅区缺口处设置有栅极。本申请具有提供气体传感器灵敏度的效果。
本发明授权一种MOSFET气体传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种MOSFET气体传感器，其特征在于，包括： 衬底100，为掺杂的半导体材质； 半导体层300，表面设置有沟道301，所述半导体层300位于沟道301的一端设置有源区300a，另一端设置有漏区300b； 绝缘介质层200，位于衬底100与半导体层300之间，用于将半导体层300和衬底100电学分隔； 钝化层400，覆盖于半导体层300以及部分绝缘介质层200，钝化层400于源区300a和漏区300b设置缺口； 源极501，覆盖于源区300a的金属层； 漏极502，覆盖于漏区300b的金属层； 气敏层600，位于沟道301的上方，并覆盖沟道301区域； 其中，所述钝化层400位于沟道301的一侧设置有栅区缺口400c，所述栅区缺口400c将绝缘介质层200贯穿，所述衬底100位于栅区缺口400c处覆盖有金属层以形成栅极503；所述钝化层400于沟道301区域设置有沟道区缺口400d，以使半导体层300的沟道301区域与气敏层600直接接触。
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