北京智芯微电子科技有限公司;北京智芯半导体科技有限公司李佩笑获国家专利权
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龙图腾网获悉北京智芯微电子科技有限公司;北京智芯半导体科技有限公司申请的专利霍尔芯片校准结构、方法、系统、装置及霍尔芯片获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116930842B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310857019.7,技术领域涉及:G01R35/00;该发明授权霍尔芯片校准结构、方法、系统、装置及霍尔芯片是由李佩笑;姜帅;王浩;方东明;孙恒超;季润可;陶毅;王蔓蓉;闻志国;李良;杜君;王祥设计研发完成,并于2023-07-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本霍尔芯片校准结构、方法、系统、装置及霍尔芯片在说明书摘要公布了:本发明实施例提供一种霍尔芯片校准结构、方法、系统、装置及霍尔芯片,属于芯片技术领域。所述霍尔芯片校准结构包括:至少一个校验霍尔盘,所述校验霍尔盘的外形与待校准霍尔芯片中用于功能实现的霍尔盘的外形相同;所述校验霍尔盘设置有输入端和输出端,所述校验霍尔盘的输入端与外部激励的输出端连接,所述校验霍尔盘的输出端用于输出霍尔电压。相对于现有技术中采用电路或是模组进行校准,大大减少了校准误差,提高了校准结果的准确度。
本发明授权霍尔芯片校准结构、方法、系统、装置及霍尔芯片在权利要求书中公布了:1.一种霍尔芯片校准结构,其特征在于,包括:至少一个校验霍尔盘,所述校验霍尔盘的外形与待校准霍尔芯片中用于功能实现的霍尔盘的外形相同;所述校验霍尔盘设置有输入端和输出端,所述校验霍尔盘的输入端与外部激励的输出端连接,所述校验霍尔盘的输出端用于输出霍尔电压; 其中,所述霍尔芯片校准结构设置于所述待校准霍尔芯片的内部;所述校验霍尔盘构成了校准区域,该校准区域中的校验霍尔盘就是霍尔效应区域,该区域用来进行校准;在进行校准时,外部激励同时输入到校验霍尔盘和待校准霍尔芯片,当在恒压偏置时,输出霍尔电压正比于霍尔效应区域的长宽比;根据所述待校准霍尔芯片的电压值和霍尔芯片校准结构的电压值计算零偏,得到零偏校准值;根据所述霍尔芯片校准结构中校验霍尔盘的外形与待校准霍尔芯片中的霍尔盘的外形,确定理想霍尔电压输出比值;基于所述理想霍尔电压输出比值、待校准霍尔芯片的电压值、霍尔芯片校准结构的电压值和零偏校准值,确定得到温漂校准值。
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