国立研究开发法人科学技术振兴机构真岛丰获国家专利权
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龙图腾网获悉国立研究开发法人科学技术振兴机构申请的专利气体传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116888464B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202280016409.5，技术领域涉及：G01N27/12；该发明授权气体传感器是由真岛丰;潘仲慧设计研发完成，并于2022-02-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本气体传感器在说明书摘要公布了：本发明提供一种对氧气的响应速度快、灵敏度高的气体传感器。本发明的气体传感器100具有：基板10、第一焊盘电极12A和第二焊盘电极12B、由特定的金属构成的纳米线14、以及由与构成纳米线14的金属不同种类的金属的氧化物的高电阻半导体构成的氧化物层16。第一焊盘电极12A和第二焊盘电极12B形成在基板10上。纳米线14将第一焊盘电极12A和第二焊盘电极12B连接，并形成在基板10上。氧化物层16以与纳米线14接触的方式形成。通过该纳米线14氧化物层16的接触，实现了对氧气的高速响应和高灵敏度。
本发明授权气体传感器在权利要求书中公布了：1.一种气体传感器，其具有： 基板，其具有绝缘表面； 第一焊盘电极和第二焊盘电极，其形成在所述基板的所述绝缘表面上； 纳米线，其将所述第一焊盘电极和所述第二焊盘电极连接，并形成在所述基板的所述绝缘表面上，由选自铂Pt、钯Pd、铑Rh、钌Ru、锇Os、铱Ir、以及它们的合金中的一种以上构成；以及 氧化物层，其与所述纳米线接触，由与构成所述纳米线的金属不同种类的金属的氧化物的高电阻半导体构成，所述氧化物层至少满足下述I或II中的一者或两者，I位于所述基板的所述绝缘表面与所述纳米线之间，与所述纳米线的下表面接触，II位于所述纳米线上，与所述纳米线的上表面接触， 在使电流在所述第一焊盘电极与所述第二焊盘电极之间流动，基于在所述第一焊盘电极与所述第二焊盘电极之间检测到的电信号的变化来检测氧气时，形成有第一传导路径和第二传导路径，所述第一传导路径是载流子在所述纳米线中通过的路径，所述第二传导路径是载流子从所述纳米线被注入至所述氧化物层、在所述氧化物层中移动并再次返回所述纳米线的路径。
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