上海超硅半导体股份有限公司;重庆超硅半导体有限公司胡浩获国家专利权
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龙图腾网获悉上海超硅半导体股份有限公司;重庆超硅半导体有限公司申请的专利一种改善大硅片线切割数据一致性的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116817729B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310713301.8，技术领域涉及：G01B7/06；该发明授权一种改善大硅片线切割数据一致性的方法是由胡浩;晁明明;王锡铭;陈猛设计研发完成，并于2023-06-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种改善大硅片线切割数据一致性的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种改善大硅片线切割数据一致性方法，解决现有测试方法无法提供以线切割方向为初始位置进而得到一致性测试数据用以工艺调试研发需求的问题。现提出一种通过改变测试初始位置的方法，通过调整其测试路径与切割方向保持一致，以解决线切割数据一致性问题，利于工艺调整优化加工参数。通过调整起始测试角度β，使得其与线痕方向与Notch夹角α=β。沿切割方向测试数据进行厚度的陡度计算以表征切割对硅片形貌的影响。
本发明授权一种改善大硅片线切割数据一致性的方法在权利要求书中公布了：1.一种改善大硅片线切割数据一致性测试方法，其特征在于，以切割痕迹与定位槽所在方向Notch的角度为α，硅片测试起始角度为β，调整β，使β=α；随后根据沿切割方向对测试数据进行厚度的陡度计算以表征切割对硅片形貌的影响，取切割方向的厚度轮廓测试数据，计算公式如下： 式中，Space代表取样长度，即在取样长度范围内进行厚度的陡度计算，Space的取值介于5mm~10mm；Thkx为位置x处硅片的厚度。
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