买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种半导体器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975282B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210383932.3，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权一种半导体器件的制造方法是由李永亮;张佳熠;贾晓峰;赵飞;殷华湘;罗军;王文武设计研发完成，并于2022-04-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域，用于同时提升器件结构均为环栅晶体管的NMOS晶体管和PMOS晶体管的载流子迁移率。所述制造方法包括：在衬底具有的第一阱区上形成第一环栅晶体管、以及在衬底具有的第二阱区上形成第二环栅晶体管。第一环栅晶体管具有的第一沟道区的晶向垂直于第二环栅晶体管具有的第二沟道区的晶向。其中，在第一阱区上形成第一环栅晶体管包括：在第一阱区上形成第一堆叠结构。第一堆叠结构包括预形成层、以及交替形成在预形成层上的第一材料层和第二材料层。第一堆叠结构中位于最顶层的为第二材料层。对每层第一材料层进行横向减薄处理，以使得每层第一材料层剩余部分的宽度等于第一沟道区的宽度。

本发明授权一种半导体器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供一衬底；所述衬底具有第一阱区和第二阱区； 在所述第一阱区上形成第一环栅晶体管、以及在所述第二阱区上形成第二环栅晶体管；所述第一环栅晶体管和所述第二环栅晶体管的导电类型相反；所述第一环栅晶体管包括第一沟道、以及环绕在所述第一沟道具有的第一沟道区外周的第一栅堆叠，所述第一栅堆叠环绕在所述第一沟道区包括的每层纳米线或片的外周；所述第二环栅晶体管包括第二沟道、以及环绕在所述第二沟道具有的第二沟道区外周的第二栅堆叠，所述第二栅堆叠环绕在所述第二沟道区包括的每层纳米线或片的外周；所述第一沟道区的晶向垂直于所述第二沟道区的晶向，且所述第一沟道和所述第二沟道的材料不同；其中，在所述第一阱区上形成所述第一环栅晶体管包括：在所述第一阱区上形成第一堆叠结构；沿着所述衬底的厚度方向，所述第一堆叠结构包括预形成层、以及交替形成在所述预形成层上的第一材料层和第二材料层；所述第一堆叠结构中位于最顶层的为所述第二材料层，所述第一堆叠结构的长度等于所述第一沟道区的长度；对所述第一堆叠结构包括的每层所述第一材料层进行横向减薄处理，以使得所述第一堆叠结构包括的每层所述第一材料层剩余部分的宽度等于所述第一沟道区的宽度；至少选择性去除位于所述第一阱区上的所述第二材料层，以使得位于所述第一阱区上、且经所述横向减薄处理后所述第一材料层剩余的部分形成所述第一沟道位于所述第一沟道区内的部分；至少在所述第一沟道区的外周形成所述第一栅堆叠； 所述在所述第一阱区上形成第一环栅晶体管、以及在所述第二阱区上形成第二环栅晶体管包括：在所述衬底上形成结构相同的第一鳍状结构和第二鳍状结构；所述第一鳍状结构位于所述第一阱区上；所述第二鳍状结构位于所述第二阱区上；所述第一鳍状结构和所述第二鳍状结构均具有源形成区、漏形成区、以及位于所述源形成区和所述漏形成区之间的过渡区；形成覆盖在所述第一鳍状结构具有的过渡区、以及所述第二鳍状结构具有的过渡区外周的牺牲栅和侧墙；所述侧墙至少形成在所述牺牲栅沿宽度方向的两侧；所述第一鳍状结构被所述牺牲栅覆盖的部分为所述第一堆叠结构；所述第二鳍状结构被所述牺牲栅覆盖的部分为第二堆叠结构；对所述第一鳍状结构具有的源形成区和漏形成区进行处理，以形成所述第一环栅晶体管包括的第一源区和第一漏区；并对所述第二鳍状结构具有的源形成区和漏形成区进行处理，以形成所述第二环栅晶体管包括的第二源区和第二漏区；去除所述牺牲栅； 所述去除所述牺牲栅后，或所述在所述第一阱区上形成第一环栅晶体管后，在所述第二阱区上形成第二环栅晶体管还包括：至少选择性去除位于所述第二阱区上的所述第一材料层，以使得位于第二阱区上的所述第二材料层形成所述第二沟道位于所述第二沟道区内的部分；至少在所述第二沟道区的外周形成所述第二栅堆叠。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院微电子研究所，其通讯地址为：100029 北京市朝阳区北土城西路3号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。