长电集成电路(绍兴)有限公司丁晓春获国家专利权
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龙图腾网获悉长电集成电路(绍兴)有限公司申请的专利真空键合构件及芯片封装体的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823469B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210401773.5，技术领域涉及：H10P72/78；该发明授权真空键合构件及芯片封装体的制备方法是由丁晓春;李宗怿;梁新夫;郭良奎;王嘉炜设计研发完成，并于2022-04-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本真空键合构件及芯片封装体的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供真空键合构件及芯片封装体的制备方法，所述键合构件包括：吸盘载体和密封垫片；所述吸盘载体具有承载面和非承载面，所述承载面上设有负压吸附通道，所述吸盘载体内设有与所述负压吸附通道相连通的导流通道，所述非承载面上设有抽气通道，使所述抽气通道与所述导流通道相互连通；具有气密通孔的所述密封垫片可拆卸式设置在所述承载面上，使所述气密通孔与所述负压吸附通道互相连通，形成用于承载芯片封装体的承载区；其解决了现有技术中芯片封装体中存在残留键合胶的问题，提高了芯片封装体的可靠性，还降低了原料的成本和解键合的工艺管控成本。
本发明授权真空键合构件及芯片封装体的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片封装体的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 提供真空键合构件； 提供一芯片，所述芯片的有源面上设置有导电互联柱，所述芯片的无源面是进行精密研磨处理得到的具有镜面效果的晶体硅基面； 通过抽气通道对所述真空键合构件进行抽真空处理； 在所述导电互联柱上依次制备金属布线层、焊盘、导电柱和锡基合金焊球； 通过所述抽气通道解除真空吸附力，去除所述真空键合构件，得到芯片封装体； 所述真空键合构件包括： 吸盘载体和密封垫片； 所述吸盘载体具有承载面和非承载面，所述承载面上设有负压吸附通道，所述吸盘载体内设有与所述负压吸附通道相连通的导流通道，所述非承载面上设有抽气通道，且所述抽气通道与所述导流通道相互连通； 所述密封垫片具有气密通孔且可拆卸式设置在所述承载面上，其中所述气密通孔与所述负压吸附通道互相连通，形成用于承载芯片封装体的承载区；其中，芯片的无源面放置在所述真空键合构件的承载区。
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