合肥维信诺科技有限公司刘达获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥维信诺科技有限公司申请的专利ITO图形化方法、显示面板的制备方法和显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114678332B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210283820.0，技术领域涉及：H10D86/01；该发明授权ITO图形化方法、显示面板的制备方法和显示面板是由刘达设计研发完成，并于2022-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本ITO图形化方法、显示面板的制备方法和显示面板在说明书摘要公布了：本申请涉及一种ITO图形化方法、显示面板的制备方法和显示面板。所述方法包括：提供一有机胶层；对所述有机胶层图形化，在所述有机胶层的上表层内开设多个彼此间隔的凹陷部；在所述有机胶层上沉积ITO材料，所述ITO材料的沉积厚度小于所述凹陷部的深度，沉积在所述上表层上的ITO材料形成第一ITO薄膜，沉积在所述凹陷部内的ITO材料形成第二ITO薄膜，所述第一ITO薄膜和所述第二ITO薄膜隔离。采用本方法能够提高产能、降低成本。
本发明授权ITO图形化方法、显示面板的制备方法和显示面板在权利要求书中公布了：1.一种显示面板的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 提供一设有像素驱动电路的衬底，所述衬底包括主屏区、副屏区、以及位于所述主屏区和所述副屏区之间的过渡区，所述像素驱动电路包括设于所述主屏区和所述过渡区的多个像素电路； 在所述衬底设有所述像素驱动电路的一侧铺设有机胶层； 对所述有机胶层图形化，在所述有机胶层内开设与所述像素电路一一对应连通的过孔，在位于所述副屏区和所述过渡区的所述有机胶层的上表层内开设与对应的所述过孔连通的凹陷部； 在所述有机胶层远离所述像素驱动电路的一侧沉积ITO材料，所述ITO材料的沉积厚度小于所述凹陷部的深度，沉积在所述上表层上的ITO材料形成第一ITO薄膜，沉积在所述凹陷部内的ITO材料形成第二ITO薄膜，所述第一ITO薄膜和所述第二ITO薄膜隔离；其中，位于所述主屏区的发光单元通过所述第一ITO薄膜与位于所述主屏区的像素电路电连接，位于所述副屏区和所述过渡区的发光单元分别通过所述第一ITO薄膜和所述第二ITO薄膜中的一个与位于所述过渡区的所述像素电路电连接。
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