中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司朴相荣获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利一种钨膜形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114496781B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011173341.0，技术领域涉及：H10P14/40；该发明授权一种钨膜形成方法是由朴相荣;白国斌;高建峰;王桂磊;丁云凌;崔恒玮设计研发完成，并于2020-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种钨膜形成方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种钨膜形成方法，该方法包括：将半导体衬底置于工艺腔室中；向工艺腔室通入含硼气体进行浸润处理；反复交替执行成核层沉积步骤以及气体脉冲处理步骤，以在半导体衬底上形成成核层，其中，成核层沉积步骤包括：向工艺腔室依次通入含硼气体以及含钨气体；气体脉冲处理步骤包括：向工艺腔室通入含硼气体；形成成核层之后，向工艺腔室通入含钨气体以及氢气，在成核层上方形成钨膜。上述方案中，能够抑制钨膜形成过程中硼污染物层的生长，有效改善了成核层表面形态，减小了最终形成的钨膜电阻。
本发明授权一种钨膜形成方法在权利要求书中公布了：1.一种钨膜形成方法，其特征在于，所述方法包括： 将半导体衬底置于工艺腔室； 向所述工艺腔室通入含硼气体进行浸润处理； 反复交替执行成核层沉积步骤以及气体脉冲处理步骤，以在所述半导体衬底上形成成核层，其中，所述成核层沉积步骤包括：向所述工艺腔室依次通入所述含硼气体以及含钨气体；所述气体脉冲处理步骤包括：向所述工艺腔室通入所述含硼气体； 在所述成核层上方形成钨膜； 其中，所述反复交替执行成核层沉积步骤以及气体脉冲处理步骤，包括：按照每次气体脉冲处理步骤中通入的所述含硼气体的气体量，反复交替执行成核层沉积步骤以及气体脉冲处理步骤，其中，对于先后执行的两次气体脉冲处理步骤，上一次气体脉冲处理步骤中通入的所述含硼气体的气体量大于下一次气体脉冲处理步骤中通入的所述含硼气体的气体量。
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