苏州纳维科技有限公司徐琳获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州纳维科技有限公司申请的专利复合衬底及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113644118B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110858367.7，技术领域涉及：H10D62/17；该发明授权复合衬底及其制备方法是由徐琳;金超;赵毛毛设计研发完成，并于2021-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本复合衬底及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种复合衬底及其制备方法，包括：III‑V族衬底，所述III‑V族衬底具有III族极性面和V族极性面；欧姆接触层，所述欧姆接触层位于所述III‑V族衬底的V族极性面上。制备方法包括：提供一III‑V族衬底，所述III‑V族衬底具有III族极性面和V族极性面；在所述III‑V族衬底的V族极性面上形成欧姆接触层。本发明提供的另一种制备方法包括：提供一支撑衬底；在所述支撑衬底的表面形成欧姆接触层；在所述欧姆接触层表面形成III‑V族衬底，所述III‑V族衬底具有III族极性面和V族极性面，且所述V族极性面与所述欧姆接触层直接接触；去除所述支撑衬底。本发明通过设置欧姆接触层，提高了复合衬底的载流子浓度，降低了接触电阻，提高了欧姆接触的热稳定性以及器件的性能。
本发明授权复合衬底及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种复合衬底，其特征在于，包括： III-V族衬底，所述III-V族衬底具有III族极性面和V族极性面，所述III-V族衬底采用非掺杂GaN材料或半绝缘GaN材料，厚度为1μm-1000μm，其载流子浓度低于1×1017cm-3； 欧姆接触层，所述欧姆接触层位于所述III-V族衬底的V族极性面上，所述欧姆接触层采用高载流子浓度GaN材料，所述欧姆接触层的厚度为10nm-1000μm，所述高载流子浓度GaN材料为掺杂浅能级施主杂质，且载流子浓度高于1×1019cm-3的GaN材料，所述浅能级施主杂质为Si、Ge或O。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州纳维科技有限公司，其通讯地址为：215123 江苏省苏州市中国(江苏)自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20幢518室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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