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龙图腾网获悉新鸿电子有限公司;清华大学申请的专利具有碳纳米管的箔结构及其制备方法、冷阴极和X射线管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121583842B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610115540.7，技术领域涉及：H01J1/304；该发明授权具有碳纳米管的箔结构及其制备方法、冷阴极和X射线管是由唐华平;陈志强;李少华;金鑫;陈金梅;荆增儒;李国宇设计研发完成，并于2026-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有碳纳米管的箔结构及其制备方法、冷阴极和X射线管在说明书摘要公布了：本发明的实施例提供了一种具有碳纳米管的箔结构及其制备方法、冷阴极和X射线管，箔结构包括：金属衬底，具有第一表面和第一侧面，第一侧面垂直于第一表面，第一侧面位于金属衬底的至少一侧的边缘；结合层，位于金属衬底的第一表面；以及多个碳纳米管，多个碳纳米管位于金属衬底的第一表面，其中，结合层用于增强金属衬底和多个碳纳米管的结合强度，多个碳纳米管包括碳纳米管膜和多个分立碳纳米管，碳纳米管膜位于第一表面，多个分立碳纳米管位于第一表面靠近第一侧面的区域，多个分立碳纳米管的至少另一部分在碳纳米管膜外且在金属衬底上的正投影位于第一表面外，多个分立碳纳米管的该至少另一部分相对于第一侧面朝远离金属衬底的方向突出。

本发明授权具有碳纳米管的箔结构及其制备方法、冷阴极和X射线管在权利要求书中公布了：1.一种具有碳纳米管的箔结构，其特征在于，所述箔结构包括： 金属衬底，所述金属衬底具有第一表面和第一侧面，所述第一侧面垂直于所述第一表面，所述第一侧面位于所述金属衬底的至少一侧的边缘； 结合层，所述结合层位于所述金属衬底的第一表面；以及 多个碳纳米管，所述多个碳纳米管位于所述金属衬底的第一表面， 其中，所述结合层用于增强所述金属衬底和所述多个碳纳米管的结合强度，所述多个碳纳米管包括碳纳米管膜和多个分立碳纳米管，所述碳纳米管膜位于所述第一表面且在所述金属衬底上的正投影均位于所述第一表面内，所述多个分立碳纳米管位于所述第一表面靠近所述第一侧面的区域且至少一部分位于所述碳纳米管膜中，所述多个分立碳纳米管的至少另一部分在碳纳米管膜外且在所述金属衬底上的正投影位于所述第一表面之外，所述多个分立碳纳米管的该至少另一部分相对于所述第一侧面朝远离所述金属衬底的方向突出。

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