合肥晶合集成电路股份有限公司张盖获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121442731B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202512024320.1，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体器件的制备方法是由张盖;王雪;陈有德设计研发完成，并于2025-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体器件的制备方法，属于半导体技术领域，包括：提供衬底，衬底上形成有栅极结构；刻蚀栅极结构两侧的衬底，以在衬底内形成源漏凹槽；在源漏凹槽内形成缓冲层，缓冲层覆盖源漏凹槽的内壁，缓冲层的至少部分表面上具有第一副产物层；至少在第一副产物层上形成第一吸附层，第一吸附层用于吸附第一副产物层内聚集的掺杂离子；至少去除第一吸附层；在源漏凹槽内形成籽晶层，籽晶层填充源漏凹槽。本申请在第一副产物层上形成第一吸附层，第一吸附层能够吸附第一副产物层内聚集的掺杂离子，去除第一吸附层，从而可以减轻或避免后续退火时第一副产物层内的掺杂离子扩散，导致器件运行过程中发生漏电的问题，提升了器件的性能。
本发明授权半导体器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底上形成有栅极结构； 刻蚀所述栅极结构两侧的所述衬底，以在所述衬底内形成源漏凹槽； 在所述源漏凹槽内形成缓冲层，所述缓冲层覆盖所述源漏凹槽的内壁，所述缓冲层的至少部分表面上具有第一副产物层； 至少在所述第一副产物层上形成第一吸附层，所述第一吸附层用于吸附所述第一副产物层内聚集的掺杂离子； 至少去除所述第一吸附层；以及， 在所述源漏凹槽内形成籽晶层，所述籽晶层填充所述源漏凹槽。
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