江西兆驰半导体有限公司李文涛获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利Micro-LED芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121692878B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610187022.6，技术领域涉及：H10H20/815；该发明授权Micro-LED芯片及其制备方法是由李文涛;张存磊;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2026-02-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本Micro-LED芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及光电子制造技术领域，具体公开了一种Micro‑LED芯片及其制备方法。Micro‑LED芯片包括：外延层、电流扩展层、P型金属导电层、N型金属导电层、DBR反射层、P型焊盘层和N型焊盘层；外延层包括依次层叠的N型半导体层、发光层和P型半导体层，外延层上形成发光结构、N型导电台阶和隔离槽，N型导电台阶设于发光结构的一侧，隔离槽围绕发光结构设置，隔离槽的侧壁暴露N型半导体层；隔离槽的侧壁上依次层叠缓冲层和DBR反射层；缓冲层的热膨胀系数大于N型半导体层的热膨胀系数，且小于DBR反射层的热膨胀系数。实施本发明，可提升Micro‑LED芯片的制造良率。
本发明授权Micro-LED芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种Micro-LED芯片，其特征在于，包括外延层、电流扩展层、P型金属导电层、N型金属导电层、DBR反射层、P型焊盘层和N型焊盘层； 其中，所述外延层包括依次层叠的N型半导体层、发光层和P型半导体层，所述外延层上形成发光结构、N型导电台阶和隔离槽，所述N型导电台阶设于所述发光结构的一侧，所述隔离槽围绕所述发光结构设置，所述隔离槽的侧壁暴露所述N型半导体层； 所述隔离槽的侧壁上依次层叠缓冲层和DBR反射层；所述缓冲层包括交替层叠的第一SiO2层和HfO2层，所述缓冲层的周期数为2~4；单个所述第一SiO2层的厚度为50Å~150Å，单个所述HfO2层的厚度为200Å~400Å； 所述缓冲层的热膨胀系数大于所述N型半导体层的热膨胀系数，且小于所述DBR反射层的热膨胀系数。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人江西兆驰半导体有限公司，其通讯地址为：330000 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励