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龙图腾网获悉全磊光电股份有限公司申请的专利一种VCSEL外延生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121556134B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610099031.X，技术领域涉及：C30B25/02；该发明授权一种VCSEL外延生长方法是由单智发;张永;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2026-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种VCSEL外延生长方法在说明书摘要公布了：本发明涉及VCSEL外延生长技术领域，尤其涉及一种VCSEL外延生长方法。本发明提供的VCSEL外延生长方法在每个DBR周期交界处插入ALE微循环界面平整化，并结合低折射率层前的HCl脉冲清洁和载气切换,以及低温AsH3去氢退火工艺，在实现高速生长生长速率提升50%以上的同时维持原子级平整界面和超高反射率≥99.5%,显著缩短生长时间并降低生产成本。

本发明授权一种VCSEL外延生长方法在权利要求书中公布了：1.一种VCSEL外延生长方法，包括以下步骤：在衬底表面依次生长N掺杂DBR层、有源区层、氧化限制层、隧穿结层、P掺杂DBR层和表面欧姆接触层；其特征在于，所述N掺杂DBR层和P掺杂DBR层的生长独立的包括： 高速生长高折射率层后，依次进行ALE微循环界面平整化、HCl脉冲清洁、第一载气切换、低温AsH3去氢退火、高速生长低折射率层和第二载气切换，循环上述步骤； 所述高速生长高折射率层和高速生长低折射率层的生长速率独立的为4~8μmh; 所述ALE微循环界面平整化的循环次数为1~3次； 单次ALE子循环包括依次进行的氯化和再生； 所述氯化的条件为：切断TMGa的供给，通入HCl的流量为5~30sccm，脉冲时长为0.1~1s，AsH3的流量为100~200sccm，温度为680~750℃； 所述再生的条件为：切断HCl的供给，AsH3的流量为180~500sccm，通入TMGa的流量为20~40sccm，生长时间为2~5s，生长厚度为0.3~0.8nm； 所述高速生长高折射率层和高速生长低折射率层的高速生长模式独立的包括：生长温度为680~750℃，反应室压力为80~150mbar，初始载气为氢气； 所述N掺杂DBR层中的高折射率层的材料为N掺杂的GaAs层； 高速生长所述N掺杂的GaAs层的条件为：源气体为TMGa、AsH3和SiH4；TMGa的流量为80~150sccm，AsH3的流量为200~500sccm，SiH4的流量为50~200sccm，ⅤⅢ比为30~60：1； 所述P掺杂DBR层中的高折射率层的材料为P掺杂的GaAs层； 高速生长所述P掺杂的GaAs层的条件为：源气体为TMGa、AsH3和CCl4；TMGa的流量为80~150sccm，AsH3的流量为180sccm，CCl4的流量为50~200sccm，ⅤⅢ比为30~60：1； 所述第一载气切换为：降低氢气的流量，提升氮气的流量使氢气和氮气的体积比为1：2~10； 所述低温AsH3去氢退火的温度为500~650℃； 所述N掺杂DBR层中的低折射率层的材料为N掺杂的AlGaAs； 生长所述N掺杂的AlGaAs的条件为：源气体为TMGa、TMAl、AsH3和SiH4；总Ⅲ族流量为90~180sccm，载气为体积比为1：3~8的氢气和氮气； 所述P掺杂DBR层中的低折射率层的材料为P掺杂的AlGaAs；生长所述P掺杂的AlGaAs的条件为：源气体为TMGa、TMAl、AsH3和CCl4；总Ⅲ族流量为90~180sccm，载气为体积比为1：3~8的氢气和氮气； 所述第二载气切换为提升氢气流量，降低氮气流量使氢气和氮气的体积比大于5:1。

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