北京科芯威创半导体科技有限公司杨泰生获国家专利权
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龙图腾网获悉北京科芯威创半导体科技有限公司申请的专利高纯碳化硅结构件及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121405475B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511412411.6，技术领域涉及：C04B35/565；该发明授权高纯碳化硅结构件及其制备方法和应用是由杨泰生;杨红纪;杨晓钰设计研发完成，并于2025-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本高纯碳化硅结构件及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明提出高纯碳化硅结构件及其制备方法和应用。该制备方法包括：将纯度≥99.999％的第一粒径的β相碳化硅粉与纯度≥99.999％的第二粒径的β相碳化硅粉按照重量比10：1～2配制成浆料，球磨混合，抽滤，烘干，得到混合粉体；其中，第一粒径＞第二粒径；将混合粉体先干压成型，再冷等静压，得到坯料；将坯料进行热等静压烧结，得到碳化硅瓷料件；将碳化硅瓷料件进行后加工，得到高纯碳化硅结构件。所要解决的技术问题是如何制备一种高纯碳化硅结构件，使其能够同时兼顾高纯度和高致密度，同时提高生产效率，降低制造成本，更容易批量化生产，从而更加适合实用。
本发明授权高纯碳化硅结构件及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种高纯碳化硅结构件的制备方法，其特征在于，其包括以下步骤： S11将纯度≥99.999%的第一粒径的β相碳化硅粉与纯度≥99.999%的第二粒径的β相碳化硅粉按照重量比10：1~2配制成浆料，在聚氨酯或聚四氟乙烯材质的球磨容器中球磨混合，抽滤，烘干，得到混合粉体；其中，第一粒径＞第二粒径；第一粒径为0.5~1.0μm，第二粒径为0.1~0.3μm； S12将混合粉体先干压成型，再将其装入硅胶或聚氨酯胶套中冷等静压，得到坯料； S13将坯料置于钨合金包套内，且在坯料与包套之间设置高纯石墨纸进行隔离，然后进行热等静压烧结，得到碳化硅瓷料件； S14将碳化硅瓷料件进行后加工，得到高纯碳化硅结构件。
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